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高压侧和低压侧N沟道MOSFET外加全功能MOSFET驱动器IC

发布时间:2023/9/17 12:43:18 访问次数:121

在一个PowerPAK®MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件---SiC769,该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET,外加全功能的MOSFET驱动器IC。

SiC769分别提供针对3.3V和5V控制器的两个型号,完全符合服务器和桌面计算机、图形卡、工作站、游戏控制台和其他高功率的CPU系统中电压稳压器的DrMOS规范。器件使操作频率可超过1MHz,从而降低多相VR拓扑的尺寸和成本。

集成的功率MOSFET对0.8V~2.0V的输出电压进行了优化,标称输入电压为12V。

这种创新的架构保证了无干扰的图像质量,并省去了传统方案所需的大体积,高成本的外部隔直流电容。

MAX9532提供衰减视频信号中的高频噪声所需的滤波电路,能够向任何中控台显示器提供优异的视频图像质量。集成的高阶滤波器具有高达9.5MHz的±1dB通带平坦度,27MHz时的衰减为42dB,保证了汽车设计中的视频信号完整性。

MAX9532提供3mmx3mm、10引脚μMAX®封装,采用2.7V至3.6V单电源供电,工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。

为了使应用在电池耗尽时仍能上电,AS1344提供了一个用户可调的软启动功能,以限制启动过程中的输入电流。

AS1344可提供2%的输出电压精度与电源就绪信号,该信号用于指示输出电压与稳压值的偏差小于10%。该器件适合为手持设备中各种不同的PMOLED、电子墨水或 LCD显示器提供电源,还适合于如麦克风、光电二极管或LED串等其它需要高电压的应用。

AS1344采用小型3x3x0.8mm,TDFN 10引脚封装,支持-40°C至+85°C工业级温度范围。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

在一个PowerPAK®MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件---SiC769,该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET,外加全功能的MOSFET驱动器IC。

SiC769分别提供针对3.3V和5V控制器的两个型号,完全符合服务器和桌面计算机、图形卡、工作站、游戏控制台和其他高功率的CPU系统中电压稳压器的DrMOS规范。器件使操作频率可超过1MHz,从而降低多相VR拓扑的尺寸和成本。

集成的功率MOSFET对0.8V~2.0V的输出电压进行了优化,标称输入电压为12V。

这种创新的架构保证了无干扰的图像质量,并省去了传统方案所需的大体积,高成本的外部隔直流电容。

MAX9532提供衰减视频信号中的高频噪声所需的滤波电路,能够向任何中控台显示器提供优异的视频图像质量。集成的高阶滤波器具有高达9.5MHz的±1dB通带平坦度,27MHz时的衰减为42dB,保证了汽车设计中的视频信号完整性。

MAX9532提供3mmx3mm、10引脚μMAX®封装,采用2.7V至3.6V单电源供电,工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。

为了使应用在电池耗尽时仍能上电,AS1344提供了一个用户可调的软启动功能,以限制启动过程中的输入电流。

AS1344可提供2%的输出电压精度与电源就绪信号,该信号用于指示输出电压与稳压值的偏差小于10%。该器件适合为手持设备中各种不同的PMOLED、电子墨水或 LCD显示器提供电源,还适合于如麦克风、光电二极管或LED串等其它需要高电压的应用。

AS1344采用小型3x3x0.8mm,TDFN 10引脚封装,支持-40°C至+85°C工业级温度范围。

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