可编程AH1903在缺省模式下为单极性器件封装有标记表面检测南极磁场
发布时间:2023/8/25 18:57:54 访问次数:137
AH1902为全极性器件，可检测南北两极磁场。可编程的AH1903在缺省模式下为单极性器件，在封装有标记的表面检测南极磁场。
全极性AH1902采用DFN1216-4、超薄DFN2015-6及SOT553封装。采用了1.2x1.6x0.5mm DFN1216-4封装的AH1903更是全行业最小的全极性或单极性可编程霍尔开关。
电池被分割成很多个小节，并且通过类似手表腕带的形式进行联结，多个可折叠的小电池通过层叠的方式可以构成一块标准大小的电池。这样的设计可以充分利用有限度的空间来开发便携式电子设备，这款设备的外观可能类似于手表。
FemtoFET MOSFET系列的主要特性与优势：
不足100毫欧的导通电阻比类似器件低70%，可节省电源，延长电池使用寿命；
FemtoFET 0.6毫米×1.0毫米×0.35毫米的LGA封装比标准CSP小40%；
1.5A至3.1A的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过2倍的性能。
三个N通道及三个P通道FemtoFET MOSFET均采用平面栅格阵列(LGA)封装，与芯片级封装(CSP)相比，其可将板积空间锐减40%。CSD17381F4与CSD25481F4支持不足100毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超过4000V的人体模型(HVM)静电放电(ESD)保护。
通过一个简单的选择引脚，外部逻辑源或微控制器能够根据磁场方向随时把AH1903设置成全极性模式，以满足多种应用的需求。这两款开关的灵敏度高，能够使用磁场强度较弱的磁石，或延伸检测距离。它们的典型开关点工作阈值为±35G。
从1.6V到3.6V的低压供电范围内使用而设计。加上不可或缺的休眠功能和典型值为4.3μA的低电流消耗，这些新器件是电池供电应用中的理想选择。
为了实现产品微型化，两款开关都提供节省空间的超薄表面贴装封装选择。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
AH1902为全极性器件，可检测南北两极磁场。可编程的AH1903在缺省模式下为单极性器件，在封装有标记的表面检测南极磁场。
全极性AH1902采用DFN1216-4、超薄DFN2015-6及SOT553封装。采用了1.2x1.6x0.5mm DFN1216-4封装的AH1903更是全行业最小的全极性或单极性可编程霍尔开关。
电池被分割成很多个小节，并且通过类似手表腕带的形式进行联结，多个可折叠的小电池通过层叠的方式可以构成一块标准大小的电池。这样的设计可以充分利用有限度的空间来开发便携式电子设备，这款设备的外观可能类似于手表。
FemtoFET MOSFET系列的主要特性与优势：
不足100毫欧的导通电阻比类似器件低70%，可节省电源，延长电池使用寿命；
FemtoFET 0.6毫米×1.0毫米×0.35毫米的LGA封装比标准CSP小40%；
1.5A至3.1A的持续漏极电流值与当前市场类似尺寸器件相比，可提供超过2倍的性能。
三个N通道及三个P通道FemtoFET MOSFET均采用平面栅格阵列(LGA)封装，与芯片级封装(CSP)相比，其可将板积空间锐减40%。CSD17381F4与CSD25481F4支持不足100毫欧的导通电阻，比目前市场上类似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超过4000V的人体模型(HVM)静电放电(ESD)保护。
通过一个简单的选择引脚，外部逻辑源或微控制器能够根据磁场方向随时把AH1903设置成全极性模式，以满足多种应用的需求。这两款开关的灵敏度高，能够使用磁场强度较弱的磁石，或延伸检测距离。它们的典型开关点工作阈值为±35G。
从1.6V到3.6V的低压供电范围内使用而设计。加上不可或缺的休眠功能和典型值为4.3μA的低电流消耗，这些新器件是电池供电应用中的理想选择。
为了实现产品微型化，两款开关都提供节省空间的超薄表面贴装封装选择。
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