10nm制程集成超过30亿个晶体管情况下体积比骁龙820小35%
发布时间:2023/8/10 22:40:54 访问次数:58
LTM8073有4种运行模式：突发模式 (Burst Mode®)、脉冲跳跃模式、具扩展频谱的脉冲跳跃模式和外部同步模式。
600V G7具备业界最低的导通电阻RDS(on) ，从28m到150m不等。相比传统的D2PAK封装而言，该器件的表面积、高度和占板空间分别减小30%、50%和60%。所有这些特性，使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现最高效率并树立功率密度标杆的理想选择。600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V,具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
骁龙835用上了更先进的10nm制程， 在集成了超过30亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27%。
在晶体管结构中，电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，就是XX nm工艺中的数值。
加上新增的S128、S3A3和S3A6系列，Synergy MCU中现在共有7个MCU系列，57款基于ARM Cortex-M CPU内核的芯片，涵盖从32MHz到240MHz的工作频率以及容量为64KB、128KB、256KB、512KB、1MB、2MB和4MB的片上闪存。
在未来继续添加新的Synergy MCU系列产品，以此为基础为具体应用提供更深入的解决方案。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
LTM8073有4种运行模式：突发模式 (Burst Mode®)、脉冲跳跃模式、具扩展频谱的脉冲跳跃模式和外部同步模式。
600V G7具备业界最低的导通电阻RDS(on) ，从28m到150m不等。相比传统的D2PAK封装而言，该器件的表面积、高度和占板空间分别减小30%、50%和60%。所有这些特性，使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现最高效率并树立功率密度标杆的理想选择。600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V,具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
骁龙835用上了更先进的10nm制程， 在集成了超过30亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27%。
在晶体管结构中，电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，就是XX nm工艺中的数值。
加上新增的S128、S3A3和S3A6系列，Synergy MCU中现在共有7个MCU系列，57款基于ARM Cortex-M CPU内核的芯片，涵盖从32MHz到240MHz的工作频率以及容量为64KB、128KB、256KB、512KB、1MB、2MB和4MB的片上闪存。
在未来继续添加新的Synergy MCU系列产品，以此为基础为具体应用提供更深入的解决方案。
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