降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性
发布时间:2023/8/3 22:19:59 访问次数:58
最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器，采用了堆栈式单元结构。
该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款样品出货的产品。新型存储器采用3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术，实现了256Gbit(32GB)的容量。
两款新品都使用台积电的28纳米工艺而不是最新的16纳米工艺制造。其中Earth是面向低端，有4核和16核两种配置。Mars是面向高端，使用了64个核心，每个核心有512KB L2缓存，共享128BM L3缓存，工作主频1.5GHz～2.0GHz，最大功耗100W。
这种进步印证了专有架构的潜力,将不断精进BiCS FLASHTM制造工艺，其发展蓝图中的下一个里程碑将是同样采用64层堆栈的512Gbit(64GB)容量存储器。
这款新型存储器沿袭48层BiCS FLASHTM，并采用领先的64层堆叠工艺，使每个单元芯片的容量比48层堆叠工艺增加40%，在降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性。
64层BiCS FLASHTM满足严格的性能规范，将用于包括企业级SSD和消费级SSD、智能手机、台式电脑和存储卡等存储相关应用。
在长宽各为55毫米的封装内、长25.38毫米和宽25.2毫米的硅半导体管芯上，借助28纳米集成电路线宽工艺，这一处理器集成了48亿个晶体管。
X86处理器采用“复杂指令集计算机”(CISC)架构，而ARM架构处理器属于“精简指令集计算机”(RISC)，所需晶体管数量较少，运行效率较高，成本和功耗也较低，更适合于智能移动设备、高性能服务器等。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器，采用了堆栈式单元结构。
该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款样品出货的产品。新型存储器采用3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术，实现了256Gbit(32GB)的容量。
两款新品都使用台积电的28纳米工艺而不是最新的16纳米工艺制造。其中Earth是面向低端，有4核和16核两种配置。Mars是面向高端，使用了64个核心，每个核心有512KB L2缓存，共享128BM L3缓存，工作主频1.5GHz～2.0GHz，最大功耗100W。
这种进步印证了专有架构的潜力,将不断精进BiCS FLASHTM制造工艺，其发展蓝图中的下一个里程碑将是同样采用64层堆栈的512Gbit(64GB)容量存储器。
这款新型存储器沿袭48层BiCS FLASHTM，并采用领先的64层堆叠工艺，使每个单元芯片的容量比48层堆叠工艺增加40%，在降低每比特成本的同时提高每个硅晶圆的存储容量的可加工性。
64层BiCS FLASHTM满足严格的性能规范，将用于包括企业级SSD和消费级SSD、智能手机、台式电脑和存储卡等存储相关应用。
在长宽各为55毫米的封装内、长25.38毫米和宽25.2毫米的硅半导体管芯上，借助28纳米集成电路线宽工艺，这一处理器集成了48亿个晶体管。
X86处理器采用“复杂指令集计算机”(CISC)架构，而ARM架构处理器属于“精简指令集计算机”(RISC)，所需晶体管数量较少，运行效率较高，成本和功耗也较低，更适合于智能移动设备、高性能服务器等。
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