N59铁氧体磁材，其具有高频低损耗的特性。该磁材专门为电源及变频器(配备基于GaN的快速切换功率半导体)应用而开发，优化后的频率范围为700kHz至2MHz。在切换频率为2MHz，工作温度为100°C时, 可达到最大传输功率.。铁氧体磁材的最大居里温度为280°C。

N59铁氧体磁材尤其适用于磁环或平版变压器。其卓越的性能, 为今后设计电源小型化, 提供了非常好的解決方案。

同时，由于铁氧体磁材的低损耗特性，其效率也大大提升，这正是使用N59可显著节能的原因。

300毫米薄晶圆工艺，是新一代汽车功率场效应管产品系列实现性能提升的一个重要基础。薄晶圆工艺可以最大限度降低功耗，并支持紧凑的场效应管设计，以提高系统效率和功率密度。

由于晶圆减薄至60微米（0.06毫米），因而采用300毫米薄晶圆工艺的OptiMOS 5功率半导体跻身全球最薄之列。这种薄晶圆的厚度甚至小于一张标准的书写用纸——厚约110微米（0.11毫米）。

因为只需数量最少的外部元器件，与使用分立控制芯片和功率级的设计相比，powerSTEP可节省50%的印刷电路板空间。凭借全面的内部保护功能，powerSTEP可被视为一个极其稳健、可靠的解决方案。

与一般的搭载Si-MOSFET的AC/DC转换器相比，功率转换效率最大可提高6%，可减少散热用零部件等，从而可大幅节省电力并实现显著的小型化（50W电源时）。

本产品具备丰富的保护功能，不仅可在一般工业设备使用的AC400V条件下工作，还可在更能发挥SiC-MOSFET特性的AC690V高电压条件下运行，有助于提高所有工业设备的可靠性。