陶瓷电容器抑制负载阶跃瞬变满足28nm以下数字IC内核电压
发布时间:2023/7/30 17:20:38 访问次数:83
ARM®Cortex®-M4内核的GD32F450系列高性能微控制器，并以200MHz的工作主频在业界首次将ARM®Cortex®-M4内核的处理能力发挥到极致。
业界领先的半导体工艺制程，整合了强大的运算效能和出色的功耗效率，并集成了更多的片上资源和接口外设，从而为工业控制、电机变频、图形显示、安防监控、传感器网络、无人机、机器人、物联网等市场应用带来创新的开发体验。
更具备了优异的静电防护(ESD)和电磁兼容(EMC)能力，并符合工业级高可靠性和温度标准。
这两款器件均可针对±3%或更好的总误差范围进行优化，包括以数目极少的陶瓷电容器抑制负载阶跃瞬变，从而满足28nm以下数字IC的内核电压窗口要求。
40nm Traveo MCU是经过优化的支持CAN FD和eSHE标准的一款解决方案，可为广泛的车身电子系统应用提供安全、高速的车内联网服务。
隔离型栅极驱动器市场中最齐全的特性集成度
可选的集成DC-DC转换器简化电路板布局布线和驱动器电源设计
业内最快的去饱和检测：可比竞争对手产品快达10倍
最快、最精确的定时特性，低传输延迟（<55ns）：优于光耦解决方案达10倍，并且比竞争对手的CMOS解决方案好2倍
高压条件下保持长使用寿命（1000V条件下100年）
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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