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高速交换器或路由器应用芯片及支持5G高速及宽带网络系统单芯片

发布时间:2023/7/30 10:59:08 访问次数:50

7nm制程硅认证的IP核,其中包括高速序列串行解串器(SerDes)、第二代及第三代高带宽内存物理层(HBM Gen2/Gen3 PHY)、 芯片堆栈物理层(Die2Die PHY)、混合讯号及基础型硅智财等。 至于ASIC平台处理器核心则采用ARM核心及外围IP核。

7纳米ASIC除了锁定深度学习等AI应用,以及抢进高效能运算(HPC)芯片市场外,也将采用台积电CoWoS先进封装技术将HBM Gen2/Gen3等内存直接整合在芯片当中。 

至于高速SerDes IP核则有助于打造高速交换器或路由器应用芯片,以及完成支持5G高速及宽带网络的系统单芯片。 为主要前期客户打造的7纳米ASIC在去年底已完成设计定案。

发光二极管的性能规格使其非常适合用来净化水和空气、物理方式的表面杀菌、医院消毒,以及便携式消毒设备.VLMU60CL.-280-125符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,适应回流焊工艺,潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准的3级。

Exynos 7872移动处理器是采用14纳米制程来生产,其中具有两个集群的6核心,包括2个Cortex-A73(2.0GHz)大核心+4个Cortex-A53(1.6Ghz)核心,绘图芯片则是采用Mali-G71 GPU。

芯片组内置了对虹膜扫描的支援。而在相机方面,支援1080p/120fps的智能动态影音录制功能。

电极材料,可以用简单的方式合成分层多孔无机材料,用于锂离子电池。一个研究小组开发了一种电极材料,可以在6分钟内通过合成和应用多孔无机材料,对锂离子电池充电到75%。

研究小组对溶剂的蒸发条件进行了调整,并通过嵌段共聚物和相分离的方法成功地合成了多孔无机材料。一种物质的孔隙根据其大小分为微孔(2纳米以下)、中孔(2-50纳米)和大孔(50纳米以上)。分层多孔结构是包括这三种孔隙中至少两种孔隙的结构。

由于二次电池表面积大,输送物质优异,因此分层多孔结构对二次电池有效。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

7nm制程硅认证的IP核,其中包括高速序列串行解串器(SerDes)、第二代及第三代高带宽内存物理层(HBM Gen2/Gen3 PHY)、 芯片堆栈物理层(Die2Die PHY)、混合讯号及基础型硅智财等。 至于ASIC平台处理器核心则采用ARM核心及外围IP核。

7纳米ASIC除了锁定深度学习等AI应用,以及抢进高效能运算(HPC)芯片市场外,也将采用台积电CoWoS先进封装技术将HBM Gen2/Gen3等内存直接整合在芯片当中。 

至于高速SerDes IP核则有助于打造高速交换器或路由器应用芯片,以及完成支持5G高速及宽带网络的系统单芯片。 为主要前期客户打造的7纳米ASIC在去年底已完成设计定案。

发光二极管的性能规格使其非常适合用来净化水和空气、物理方式的表面杀菌、医院消毒,以及便携式消毒设备.VLMU60CL.-280-125符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,适应回流焊工艺,潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准的3级。

Exynos 7872移动处理器是采用14纳米制程来生产,其中具有两个集群的6核心,包括2个Cortex-A73(2.0GHz)大核心+4个Cortex-A53(1.6Ghz)核心,绘图芯片则是采用Mali-G71 GPU。

芯片组内置了对虹膜扫描的支援。而在相机方面,支援1080p/120fps的智能动态影音录制功能。

电极材料,可以用简单的方式合成分层多孔无机材料,用于锂离子电池。一个研究小组开发了一种电极材料,可以在6分钟内通过合成和应用多孔无机材料,对锂离子电池充电到75%。

研究小组对溶剂的蒸发条件进行了调整,并通过嵌段共聚物和相分离的方法成功地合成了多孔无机材料。一种物质的孔隙根据其大小分为微孔(2纳米以下)、中孔(2-50纳米)和大孔(50纳米以上)。分层多孔结构是包括这三种孔隙中至少两种孔隙的结构。

由于二次电池表面积大,输送物质优异,因此分层多孔结构对二次电池有效。

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