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IWAS-4832FE-50在4000高斯磁场下磁饱和小于50%替代铁氧体方案

发布时间:2023/7/29 8:47:51 访问次数:30

新款符合WPC(无线充电联盟)标准的新款无线充电接收线圈---IWAS-4832FE-50,适用于10W应用的。

新的Vishay Dale IWAS-4832FE-50采用耐用的结构和高磁导率的屏蔽,转换效率超过70%,可用于对最高10W的平板电脑、笔记本电脑和手持式医疗设备等便携式电子产品进行无线充电。

IWAS-4832FE-50的高饱和铁粉不受永磁定位铁芯的影响,器件可阻断来自敏感元件和电池的充电磁通。采用铁氧体的方案在遇到强磁场的时候会饱和,IWAS-4832FE-50在4000高斯磁场下的磁饱和小于50%,可替代铁氧体方案。

随着DDR4内存标准的发布,动态随机访问存储器(DRAM)的数据速率已提升至3.2Gb/s。存储器系统设计工程师正面临着较之以往更大的挑战,面向高数据速率的存储信号探测变得非常困难。

最新的Keysight DDR4 BGA内插器解决方案可以直接访问DRAM焊球,既能确保低负载,又能尽量减少对信号完整性的影响,从而让工程师能精确地测量DDR4信号。

Keysight DDR4 BGA内插器解决方案能够访问 DDR4 DRAM中的时钟、选通、数据、地址和指令信号,可结合示波器进行一致性测试。

小型及便携式可穿戴应用添加无线充电功能,在相同的电路板上将符合Qi标准的bq51003 2.5W无线充电接收器与bq25100线性充电器进行配对。

这两款器件可让尺寸为75平方毫米的最新Design参考电路板的功能更为齐全。支持 Humavox 将 bq25100整合在其无线充电解决方案中,该解决方案适用于采用了Humavox ETERNA™RF无线充电平台的可穿戴设备与便携式医疗保健设备。

最新TPS82740A与TPS82740B步降转换器拈都支持200mA输出电流、95%的转换效率、仅为360nA的工作状态静态电流流耗以及70nA的待机流耗。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com


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IWAS-4832FE-50的高饱和铁粉不受永磁定位铁芯的影响,器件可阻断来自敏感元件和电池的充电磁通。采用铁氧体的方案在遇到强磁场的时候会饱和,IWAS-4832FE-50在4000高斯磁场下的磁饱和小于50%,可替代铁氧体方案。

随着DDR4内存标准的发布,动态随机访问存储器(DRAM)的数据速率已提升至3.2Gb/s。存储器系统设计工程师正面临着较之以往更大的挑战,面向高数据速率的存储信号探测变得非常困难。

最新的Keysight DDR4 BGA内插器解决方案可以直接访问DRAM焊球,既能确保低负载,又能尽量减少对信号完整性的影响,从而让工程师能精确地测量DDR4信号。

Keysight DDR4 BGA内插器解决方案能够访问 DDR4 DRAM中的时钟、选通、数据、地址和指令信号,可结合示波器进行一致性测试。

小型及便携式可穿戴应用添加无线充电功能,在相同的电路板上将符合Qi标准的bq51003 2.5W无线充电接收器与bq25100线性充电器进行配对。

这两款器件可让尺寸为75平方毫米的最新Design参考电路板的功能更为齐全。支持 Humavox 将 bq25100整合在其无线充电解决方案中,该解决方案适用于采用了Humavox ETERNA™RF无线充电平台的可穿戴设备与便携式医疗保健设备。

最新TPS82740A与TPS82740B步降转换器拈都支持200mA输出电流、95%的转换效率、仅为360nA的工作状态静态电流流耗以及70nA的待机流耗。

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