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高边MOSFET开关速度更快可替换性能较低的标准双片器件

发布时间:2023/7/28 12:01:28 访问次数:65


双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把两颗MOSFET封装在一个不对称封装里,尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低,较小的高边MOSFET开关速度更快,可替换性能较低的标准双片器件,而标准器件会限制大电流、高频率的同步降压设计使用最优的MOSFET组合。

相比于使用分立器件,这两颗器件占用的电路板空间更少,能实现更小尺寸的PCB设计。


全面的新式端子块,以及各种印刷电路板端子和连接器,包括电子接口元器件和模块。 此外,我们还提供多种优质手动和电动工具,以及种类齐全的外壳和标记产品。

产品系列包括接线座、PCB接插件、带防护外壳产品、工业以太网、以及继电器组件、电源模块、过电压保护模块、电气安装和标识产品、基本的I/O接口和全系列的工具产品等。产品主要应用于开关柜和现场布线,客户能够在应用中从我们广泛的全系列产品中受益。

产品系列以市场和客户的需求为导向,面向全球客户,广泛应用于工业,过程控制以及交通等多个领域。

在6GHz或更高的频段,波束形成技术(beam-forming)将被采用来解决覆盖方面的挑战。


所谓波束技术,即是将无线信号定向指向终端。此技术也将导致5G的成本相对之前的技术而增高,每时每刻都需要数百个波束追踪单个移动终端使得基站的成本大幅提升。

MIMO(多入多出)也是被广泛研究以提升带宽的一种天线技术,这种技术采用大规模的天线阵列来提升带宽,但这种技术目前仍有天线间互相产生射频干扰的难题没有完美解决。目前的研究焦点是将波束形成技术结合起来,使用软件控制灵活调整天线的方向来解决。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com


双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。

12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把两颗MOSFET封装在一个不对称封装里,尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低,较小的高边MOSFET开关速度更快,可替换性能较低的标准双片器件,而标准器件会限制大电流、高频率的同步降压设计使用最优的MOSFET组合。

相比于使用分立器件,这两颗器件占用的电路板空间更少,能实现更小尺寸的PCB设计。


全面的新式端子块,以及各种印刷电路板端子和连接器,包括电子接口元器件和模块。 此外,我们还提供多种优质手动和电动工具,以及种类齐全的外壳和标记产品。

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产品系列以市场和客户的需求为导向,面向全球客户,广泛应用于工业,过程控制以及交通等多个领域。

在6GHz或更高的频段,波束形成技术(beam-forming)将被采用来解决覆盖方面的挑战。


所谓波束技术,即是将无线信号定向指向终端。此技术也将导致5G的成本相对之前的技术而增高,每时每刻都需要数百个波束追踪单个移动终端使得基站的成本大幅提升。

MIMO(多入多出)也是被广泛研究以提升带宽的一种天线技术,这种技术采用大规模的天线阵列来提升带宽,但这种技术目前仍有天线间互相产生射频干扰的难题没有完美解决。目前的研究焦点是将波束形成技术结合起来,使用软件控制灵活调整天线的方向来解决。

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