电阻的功率等级0.5W连接将电阻温度系数降至35ppm
发布时间:2023/7/20 7:25:01 访问次数:32
MACOM在高端工艺领域的造诣和无线应用的经验在半导体业界是独一无二的。这些经验可以帮助移动运营商以最小的成本和运营开支紧跟新一代无线网络对带宽的需求。
在4G、4.5G、5G无线设备上提供高频主干网和接入技术。MACOM能够提供一站式的高性能射频、微波、毫米波和光通信解决方案。
MAGb系列氮化镓 (GaN) 功率晶体管。其性能已经赶超价格高昂的碳化硅基底的氮化镓制成的同类产品,并能在大规模量产时保持和LDMOS相同的成本结构。
MAGb系列功率晶体管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窝应用频段,支持高达700W的峰值功率。
SC9860采用了先进的台积电16nm FFC工艺,相比20nm、28nm具备更好的能效比。
它集成了ARM八核64位Cortex-A53处理器,主频超过2.0GHz,采用最新四核Mali T880图形处理器(GPU),可支持4K及以上的高保真度影像。
SC9860支持全球全频段LTE Category 7 (CAT 7)级别,双向支持载波聚合以及TDD+FDD混合组网,下行速率达300Mbps,上行速率达100Mpbs,真正实现4G+技术的极速上网体验。
像所有Power Metal Strip电阻一样,这颗电阻采用全焊接结构,实现了优异的电性能。
独家的加工技术使阻值范围达到0.01Ω~0.05Ω,公差达到0.1%、0.5%和1.0%。WSK1206...18 High Power具有低热电动势(<3μV/℃),温度范围从-65℃到+170℃。电阻符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。
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在4G、4.5G、5G无线设备上提供高频主干网和接入技术。MACOM能够提供一站式的高性能射频、微波、毫米波和光通信解决方案。
MAGb系列氮化镓 (GaN) 功率晶体管。其性能已经赶超价格高昂的碳化硅基底的氮化镓制成的同类产品,并能在大规模量产时保持和LDMOS相同的成本结构。
MAGb系列功率晶体管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窝应用频段,支持高达700W的峰值功率。
SC9860采用了先进的台积电16nm FFC工艺,相比20nm、28nm具备更好的能效比。
它集成了ARM八核64位Cortex-A53处理器,主频超过2.0GHz,采用最新四核Mali T880图形处理器(GPU),可支持4K及以上的高保真度影像。
SC9860支持全球全频段LTE Category 7 (CAT 7)级别,双向支持载波聚合以及TDD+FDD混合组网,下行速率达300Mbps,上行速率达100Mpbs,真正实现4G+技术的极速上网体验。
像所有Power Metal Strip电阻一样,这颗电阻采用全焊接结构,实现了优异的电性能。
独家的加工技术使阻值范围达到0.01Ω~0.05Ω,公差达到0.1%、0.5%和1.0%。WSK1206...18 High Power具有低热电动势(<3μV/℃),温度范围从-65℃到+170℃。电阻符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。