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物体挡住光电阻时检测V1基极电压和V2集电极电压观察LnD

发布时间:2023/2/27 0:19:08 访问次数:83

三极管光控照明电路的元器件连接关系及检测方法,对该电路的独阙可设暨两种状态:

用手电筒或照明灯照射光敏电阻,同时用万用表检测V1三极臀基极电压和m集电极电压,并观察LED。

绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET)简称MOS场效应晶体管,由金属、氧化物、半导体材料制成,因其栅极与其他电极完全绝缘而得名。

绝缘栅型场效应晶体管除有n沟道和P沟道之分外,还可分别根据工作方式的不同分为增强型与耗尽型。绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构。


当V1基极电压%小于t`be+咣时,Vl、V2截止,Vz集电极为0V,LED不发光。

用物体尴住光敬电阻时,检浏V1基极电压和V2集电极电压并观察LnD。此时,ub≥ube+ue,V1、V2饱和导通,V2集电极为6V,LED发光。

场效应晶体管的种类特点,场效应晶体管(Field-E熊ct Transistor)简称FET,是一种典型的电压控制型半导体器件。场效应晶体管是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点,容易被静电击穿。

电子产品电路板上的场效应晶体管,典型电子产品电路板上的场效应晶体管,场效应晶体管有三只引脚,分别为漏极(D)、源极(s)、栅极(G)。

结型场效应晶体管(JFET)是在一块N型(或P型)半导体材料两边制作P型(或N型)区形成PN结所构成的,根据导电沟道的不同可分为N沟道和P沟道两种,结型场效应晶体管的外形特点及内部结构.


绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构,场效应晶体管在电路中的标识通常分为两部分:一部分是电路图形符号,表示场效应晶体管的类型;一部分是字母+数字,表示该场效应晶体管在电路中的序号及型号。



http://yushuo.51dzw.com/ 深圳市裕硕科技有限公司


三极管光控照明电路的元器件连接关系及检测方法,对该电路的独阙可设暨两种状态:

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绝缘栅型场效应晶体管(MOSFET)简称MOS场效应晶体管,由金属、氧化物、半导体材料制成,因其栅极与其他电极完全绝缘而得名。

绝缘栅型场效应晶体管除有n沟道和P沟道之分外,还可分别根据工作方式的不同分为增强型与耗尽型。绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构。


当V1基极电压%小于t`be+咣时,Vl、V2截止,Vz集电极为0V,LED不发光。

用物体尴住光敬电阻时,检浏V1基极电压和V2集电极电压并观察LnD。此时,ub≥ube+ue,V1、V2饱和导通,V2集电极为6V,LED发光。

场效应晶体管的种类特点,场效应晶体管(Field-E熊ct Transistor)简称FET,是一种典型的电压控制型半导体器件。场效应晶体管是电压控制器件,具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点,容易被静电击穿。

电子产品电路板上的场效应晶体管,典型电子产品电路板上的场效应晶体管,场效应晶体管有三只引脚,分别为漏极(D)、源极(s)、栅极(G)。

结型场效应晶体管(JFET)是在一块N型(或P型)半导体材料两边制作P型(或N型)区形成PN结所构成的,根据导电沟道的不同可分为N沟道和P沟道两种,结型场效应晶体管的外形特点及内部结构.


绝缘栅型场效应晶体管的外形特点及内部结构,场效应晶体管在电路中的标识通常分为两部分:一部分是电路图形符号,表示场效应晶体管的类型;一部分是字母+数字,表示该场效应晶体管在电路中的序号及型号。



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