高可靠性(MP)级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。该驱动器与功率MOSFET和DC/DC控制器中的一款组合起来，形成了一个完整的高效率同步稳压器。

较高电流的应用驱动多个并联MOSFET。在驱动一个1,000pF负载时，高端MOSFET的快速8ns上升、5ns下降时间以及低端MOSFET的6ns上升时间、3ns下降时间最大限度地减小了开关损耗。集成自适应连通保护以最大限度缩短死区时间，同时防止高端和低端MOSFET同时导通。

独立的输入接脚可相系，以执行于单端输入，或由独立输入电源端执行。

降压稳压器可在低至0.8V电压下提供达1A的连续输出电流，而升压转换器则能提供高达38V的输出电压。此LDO控制器结合外部NPN晶体管，可由降压转换器之输出执行以达到最高效率，或经由独立的输入接脚执行来增加设计弹性，两种方式都能达到低噪声操作。 

切换频率可由使用者设定于500kHz至2MHz间，不仅可为设计者提供最佳效率，同时还能避开严苛的噪声敏感频段，且可同步化于650kHz至 2.5MHz间。

结合4mmx4mm DFN封装(或散热强化型TSSOP-20)及高切换频率，使其能将外部电容及电感保持小尺寸，提供非常精小、具散热效益的接脚占位。

新款ADC采用1.8V单电源供电，正常模式下的功耗为1.5W，当工作于待机模式且数字链路保持运行时，每通道功耗为145mW(典型值)。 还是首款集成温度传感器的高速ADC，使工程师能够监控散热，以优化系统运行。

四通道ADC提供了出色的噪声性能，并可在85 MHz的输入频率下提供65dBFs的SNR(信噪比)、77dBc的SFDR(无杂散动态范围)，以及10.5的ENOB(有效位数)。

支持LVDS(低压差分信号)兼容采样率时钟输入，并提供四路串行数字输出数据流，其中包含每路ADC通道的编码数据。

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