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高速SoC设计共享存储器系统编程/擦除最少能达到10万次

发布时间:2022/12/30 7:57:04 访问次数:134

MirrorBit技术制造的64M位闪存器件能有标准闪存两倍的容量而不牺牲它的耐用性,性能或可靠性。

MirrorBit结构采用真正多位式闪存单元,它有和标准的NOR闪存一样的高性能和可靠性。NOR闪存经常用来存储和运行几种电子设备操作系统(OS)软件。MirrorBit技术能降低超高容量NOR闪存器件的生产成本。这种存储器允许客户开发先进的产品如手机,PDA,汽车PC,通信设备和机顶盒。

在AMD的MirrorBit单元,代码和数据存储在两种分立的和独立的位置。通过物理上隔离每一位,保持它的单独和完整性。它的产品比通常的多级单元(MCL)器件更稳定和更可靠。MirrorBit闪存器件设计成能进行编程/擦除最少能达到10万次,在125°C时数据能保留20年。

共享存储器能使系统级芯片(SoC)设计增加数据95%,而不增加芯片面积。

采用该公司的基于SRAM的客户面积,速度和功率(ASAP)高速多端口寄存器文件嵌入式存储器,Virage Logic公司推出了一种用在高速SoC设计的共享存储器系统。

这种系统的应用推动DSP,NPU或图形芯片的复合应用,有高的吞吐量而不用牺牲硅芯片面积

嵌入式处理器目前的解决方案是采用带附加逻辑的多个寄存器文件以模拟多个读端口,它的吞吐量慢。Virage Logic的多端口寄存器文件嵌入式存储器,通过在同一存储器中不同位置的同时存取,能增加处理数据或管线中的指令或并行处理器的速度。

两相PWM控制器FAN5240。

快捷公司的单片控制器/驱动器满足移动AMD Athlon4和Duron处理器中Vcore电源的要求。FAN5240能满足笔记本电脑大范围负载的高效率的全部要求。通过带可控转换速率的5VVID DAC,输出电压在-0.925到2.0V可调,以满足AMD PowerNow技术指标。

控制器中可编程动态压降把输出电容的要求降到最低,从而优化瞬变响应。该IC具有所需要的保护和监视功能,例如采用无损耗功率MOSFET传感的可编程限流。其它保护特性包括精密传感电阻,关断控制,过压保护,可编程软起动,热限制,欠压停工锁定和功率良好输出。

FAN5240是28引线的QSOP和TSSO封装,额定工作范围从-10°C到85°C。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com

MirrorBit技术制造的64M位闪存器件能有标准闪存两倍的容量而不牺牲它的耐用性,性能或可靠性。

MirrorBit结构采用真正多位式闪存单元,它有和标准的NOR闪存一样的高性能和可靠性。NOR闪存经常用来存储和运行几种电子设备操作系统(OS)软件。MirrorBit技术能降低超高容量NOR闪存器件的生产成本。这种存储器允许客户开发先进的产品如手机,PDA,汽车PC,通信设备和机顶盒。

在AMD的MirrorBit单元,代码和数据存储在两种分立的和独立的位置。通过物理上隔离每一位,保持它的单独和完整性。它的产品比通常的多级单元(MCL)器件更稳定和更可靠。MirrorBit闪存器件设计成能进行编程/擦除最少能达到10万次,在125°C时数据能保留20年。

共享存储器能使系统级芯片(SoC)设计增加数据95%,而不增加芯片面积。

采用该公司的基于SRAM的客户面积,速度和功率(ASAP)高速多端口寄存器文件嵌入式存储器,Virage Logic公司推出了一种用在高速SoC设计的共享存储器系统。

这种系统的应用推动DSP,NPU或图形芯片的复合应用,有高的吞吐量而不用牺牲硅芯片面积

嵌入式处理器目前的解决方案是采用带附加逻辑的多个寄存器文件以模拟多个读端口,它的吞吐量慢。Virage Logic的多端口寄存器文件嵌入式存储器,通过在同一存储器中不同位置的同时存取,能增加处理数据或管线中的指令或并行处理器的速度。

两相PWM控制器FAN5240。

快捷公司的单片控制器/驱动器满足移动AMD Athlon4和Duron处理器中Vcore电源的要求。FAN5240能满足笔记本电脑大范围负载的高效率的全部要求。通过带可控转换速率的5VVID DAC,输出电压在-0.925到2.0V可调,以满足AMD PowerNow技术指标。

控制器中可编程动态压降把输出电容的要求降到最低,从而优化瞬变响应。该IC具有所需要的保护和监视功能,例如采用无损耗功率MOSFET传感的可编程限流。其它保护特性包括精密传感电阻,关断控制,过压保护,可编程软起动,热限制,欠压停工锁定和功率良好输出。

FAN5240是28引线的QSOP和TSSO封装,额定工作范围从-10°C到85°C。

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