变压器温升过高或线圈绝缘损坏造成配变分接开关不到位
发布时间:2022/11/22 18:06:26 访问次数:106
利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置,主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯(磁芯)。主要功能有:电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压(磁饱和变压器)等。
按用途可以分为:电力变压器和特殊变压器(电炉变、整流变、工频试验变压器、调压器、矿用变、音频变压器、中频变压器、高频变压器、冲击变压器、仪用变压器、电子变压器、电抗器、互感器等)。电路符号常用T当作编号的开头。例: T01, T201等。
变压器出现烧毁现象一般是变压器温升过高或者线圈绝缘损坏。烧毁前温度不高,不代表局部温度也不高。变压器过载、温升设计余量过小都可能导致局部高温,进而导致变压器失效,引起烧毁事故。下面我们来详细分析各种烧毁原因。
变压器烧毁的原因
变压器高、低压两侧无熔断器。有的虽然已经装上跌落式熔断器和羊角保险,但其熔断件多是采用铝或铜丝代替,致使低压短路或过载时,熔断件无法正常熔断而烧毁变 压器。
变压器的高、低压熔断件配置不当。变压器上的熔断件普遍存在着配置过大 的现象,严重过载时,烧毁变压器。
三相负荷不平衡。有一些农村由于照明线路较多且杂乱,大多数又是采用单相供电,再加上施工中跳线的随意性和管理上的不到位,造成了变压器的负荷偏相运行。长期的使用,致使某相线圈绝缘老化而烧 毁变压器。
分接开关接触不良:
私自调节分接开关,造成配变分接开关不到位,接触不良而烧毁;
分接开关质量差,引起星形触头位置不完全接触,发生短路或对地放电。

与智能数字栅极驱动配合使用时,1700V SiC MOSFET可发挥最大价值。Microchip提供丰富且可靠耐用的SiC元件产品组合,这些产品以芯片、分立元件和功率模块以及数字栅极驱动器解决方案的形式提供,让设计人员能够轻松、快速且自信地采用SiC。
Silent Switcher技术提供高功率密度设计,并且能够在小封装中实现大电流能力,从而保持低θJA,实现高效率(例如,LTM4638能够在6.25mm 6.25mm×5.02mm封装中实现15A)。
来源:eechina.如涉版权请联系删除。图片供参考
利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置,主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯(磁芯)。主要功能有:电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压(磁饱和变压器)等。
按用途可以分为:电力变压器和特殊变压器(电炉变、整流变、工频试验变压器、调压器、矿用变、音频变压器、中频变压器、高频变压器、冲击变压器、仪用变压器、电子变压器、电抗器、互感器等)。电路符号常用T当作编号的开头。例: T01, T201等。
变压器出现烧毁现象一般是变压器温升过高或者线圈绝缘损坏。烧毁前温度不高,不代表局部温度也不高。变压器过载、温升设计余量过小都可能导致局部高温,进而导致变压器失效,引起烧毁事故。下面我们来详细分析各种烧毁原因。
变压器烧毁的原因
变压器高、低压两侧无熔断器。有的虽然已经装上跌落式熔断器和羊角保险,但其熔断件多是采用铝或铜丝代替,致使低压短路或过载时,熔断件无法正常熔断而烧毁变 压器。
变压器的高、低压熔断件配置不当。变压器上的熔断件普遍存在着配置过大 的现象,严重过载时,烧毁变压器。
三相负荷不平衡。有一些农村由于照明线路较多且杂乱,大多数又是采用单相供电,再加上施工中跳线的随意性和管理上的不到位,造成了变压器的负荷偏相运行。长期的使用,致使某相线圈绝缘老化而烧 毁变压器。
分接开关接触不良:
私自调节分接开关,造成配变分接开关不到位,接触不良而烧毁;
分接开关质量差,引起星形触头位置不完全接触,发生短路或对地放电。

与智能数字栅极驱动配合使用时,1700V SiC MOSFET可发挥最大价值。Microchip提供丰富且可靠耐用的SiC元件产品组合,这些产品以芯片、分立元件和功率模块以及数字栅极驱动器解决方案的形式提供,让设计人员能够轻松、快速且自信地采用SiC。
Silent Switcher技术提供高功率密度设计,并且能够在小封装中实现大电流能力,从而保持低θJA,实现高效率(例如,LTM4638能够在6.25mm 6.25mm×5.02mm封装中实现15A)。
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