非隔离式DC/DC控制器可以从3.3V、5V或12V电源轨转换为处理器内核电压。过去运行良好的现有解决方案可能无法满足当今高性能处理器的要求。

随着进一步集成和提高性能，处理器内核电压开始下降到1V以下，而其电流消耗增加到数安培。这些工艺技术的进步必须与现成的负载点解决方案相匹配。我们将更详细地解决这些挑战，以展示最新控制器和MOSFET技术的优势。

这些先进的产品能够支持陶瓷大容量、旁路和滤波电容器、浪涌电流、主动EMI降低以通过FCC批准规范，严格的电压调节精度，最后但并非最不重要的是，在启动期间支持预充电电容器组。同时实现高效率、小尺寸和更高的可靠性。

单通道TVS是市场上最常见的封装，但与阵列封装TVS相比，它占用了大量的PCB面积，尤其是对于具有大量数据走线的高速应用。TVS阵列封装使设计变得简单，并且可以灵活地适应不同的应用。阵列封装可以通过结合不同的电气特性TVS设计为一些特定应用的整体解决方案。

这有助于工程师同时满足小封装和极端浪涌鲁棒性的需求，从而消除了小PCB空间和高浪涌鲁棒性之间的权衡。

我还测量了一些 X7R、0805、50V电容器，甚至是0402、10V额定电容器，其失真与上述类似。

AZ5A16-01M采用了特殊的MCSP封装设计。与传统CSP封装类似的晶圆级封装，MCSP采用6面保护涂层，封装架构更强，SMT推力更强，帮助AZ5A16-01M通过众多厂商要求的严格SMT推力测试，同时保持优异的成绩小包装的优势。

两种看似相同的0.01μF，50V，0,0603，X7R类型，具有20伏的峰信号摆动。

这些电容器在FFT图上有非常不同的失真特征。对失真产品的一个更好的比较。其中一个“看似相同”的电容器的失真比另一个好2：1.两个看似相同的50V，X7R，0603大小的电容器的FFT失真特征。可以看出，一个人有明显更差的失真特征。