相变存储器兼有NOR-type flash、memory NAND-type flash memory和RAM或EEpROM相关的属性。

如同RAM或EEPROM，PCM可变的最小单元是一位。闪存技术在改变储存的信息时要求有一步单独的擦除步骤。而在一位可变的存储器中存储的信息在改变时无需单独的擦除步骤，可直接由1变为0或由0变为1。

相变存储器如NOR闪存与NAND闪存一样是非易失性的存储器。RAM需要稳定的供电来维持信号，如电池支持。DRAM也有称为软错误的缺点，由微粒或外界辐射导致的随机位损坏。早期Intel进行的兆比特PCM存储阵列能够保存大量数据，该实验结果表明PCM具有良好的非易失性。

电容触控技术解决方案供应商。PSoC 4100S Max可支持新一代CAPSENSE技术，并且可以同时支持互电容感应和自电容感应，能够实现各种触屏功能，在市场上占据领先地位。

这款新产品提供业内领先的、可扩展的触摸感应技术，可降低电路板设计的总体BOM（材料清单）成本.另外,该系列产品即便在一些较为恶劣的环境下也能正常进行触摸感应，且具有行业领先的信噪比。

这些技术旨在驱动器上均匀地分散磨损，以最大幅度提高系统的耐久性。在DRAM、SRAM或未使用的快闪存储器单元中的临时缓冲区都可用来跟踪驱动器下一步要写入的位置以及需要擦除的旧位置。

快闪存储器驱动器的另一个主要问题是电源故障保护。临时缓冲区包含驱动器下一步应该写入的数据以及必须擦除的旧位置等讯息，这些讯息储存在容易流失的存储器中，在此情况下，突然断电会导致缓冲区被擦除，使得传送数据失败造成灾难性的损失。