对称气隙设计使磁芯的磁通密度分布均匀提升磁饱和能力
发布时间:2022/10/28 13:15:14 访问次数:77
车规级功率电感VSRU27系列和VSHB0754T系列.VSRU27是采用扁平线圈与铁氧体磁芯组合,复合型结构一体成型工艺,目前两款车规级功率电感均已通过AEC-Q200可靠性测试。
车规级大电流功率电感VSRU27系列采用扁平线圈绕组,能够提供极低的直流和交流电阻,实现大功率,低温升,让产品的损耗降至最低。磁芯采用EE形结构,对称气隙设计使磁芯的磁通密度分布均匀,从而提升磁饱和能力,同时漏磁分布比较均匀,由漏磁产生的损耗也有所降低。
直流电阻范围为0.46mΩ至1.92mΩ,工作温度范围为-55°C至150°C,并在产品底座上增加第三个焊接端子,有效提高抗振性能。
显存搭档DDR4,频率2.0-2.4GHz,最大容量16GB。GPU模块搭配独立显存,还可形成独显方案。
支持双屏显示,典型分辨率1080p60Hz,最高支持2K30Hz。
性能方面,glmark2可以超过300FPS,glxgears可以超过1800FPS,满足桌面办公需求是没问题的。
功能方面,龙芯7A2000内部集成了PCIe 3.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0、千兆网PHY、HDMI、I2C、UART、GPIO等接口,可为龙芯处理器提供丰富的南北桥功能。
其中,显示接口升级为双路HDMI、一路VGA,可直连显示器,而内置的网络PHY物理层,可直接提供网口输出。
新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品,迎合了更智能、功能更丰富的趋势,满足了增加系统功耗的需求。
除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外,Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V时的最大RDS(on)为16mΩ,在0.96mm ×0.96mm×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具备市场领先的效率。
车规级功率电感VSRU27系列和VSHB0754T系列.VSRU27是采用扁平线圈与铁氧体磁芯组合,复合型结构一体成型工艺,目前两款车规级功率电感均已通过AEC-Q200可靠性测试。
车规级大电流功率电感VSRU27系列采用扁平线圈绕组,能够提供极低的直流和交流电阻,实现大功率,低温升,让产品的损耗降至最低。磁芯采用EE形结构,对称气隙设计使磁芯的磁通密度分布均匀,从而提升磁饱和能力,同时漏磁分布比较均匀,由漏磁产生的损耗也有所降低。
直流电阻范围为0.46mΩ至1.92mΩ,工作温度范围为-55°C至150°C,并在产品底座上增加第三个焊接端子,有效提高抗振性能。
显存搭档DDR4,频率2.0-2.4GHz,最大容量16GB。GPU模块搭配独立显存,还可形成独显方案。
支持双屏显示,典型分辨率1080p60Hz,最高支持2K30Hz。
性能方面,glmark2可以超过300FPS,glxgears可以超过1800FPS,满足桌面办公需求是没问题的。
功能方面,龙芯7A2000内部集成了PCIe 3.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0、千兆网PHY、HDMI、I2C、UART、GPIO等接口,可为龙芯处理器提供丰富的南北桥功能。
其中,显示接口升级为双路HDMI、一路VGA,可直连显示器,而内置的网络PHY物理层,可直接提供网口输出。
新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品,迎合了更智能、功能更丰富的趋势,满足了增加系统功耗的需求。
除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外,Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS=4.5V时的最大RDS(on)为16mΩ,在0.96mm ×0.96mm×0.24mm(SOT8007)尺寸下可具备市场领先的效率。