二极管的伏安特性,管两端电压的变化却不大(近似为恒压特性)。小功率的锗管为0,2~0,3V,小功率的硅管为0,6~0.7V。

反向特性,当二极管两端加反向电压时,二极管的特性。

反向截止区:当二极管两端加反向电压时,二极管截止,管中有较小的反向电流流过。

注意,反向电流具有两个特点:一是反向电流随着温度的上升而急剧增长;二是在一定的外加反向电压范围内,反向电流基本上不随反向电压的变化而变化(近似为恒流特性)。

反向击穿区:当加在二极管两端的反向电压大于某一电压时,反向电流突然上升,这种现象称为反向击穿。

电容滤波电路利用了电容两端电压不能突变的特性。当二极管导通时,一方面给负载RL供电,另一方面对电容器C进行充电。

充电时间常数T1=2RDC,其中RD为二极管的正向导通电阻,其值非常小,充电电压Uc与上升的正弦电压U2一致,u0=Uc=u2,当uc充电到u2的最大值U2时,u开始下降,且下降速率逐渐加快。当U2<Uc时,4个二极管均截止,电容C经负载电阻RL放电,放电时间常数T2=RLC,故放电较慢,直到负半周。

红外接收二极管的外形，用万用表R×1k挡测量红外接收二极管的正、反向电阻,若一次电阻值大,一次电阻值小,说明红外接收二极管是好的。以阻值较小的一次为准,红表笔所接的引脚为负极,黑表笔所接的引脚为正极。

用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻,根据正、反向电阻值的大小,可初步判定红外接收二极管的好坏。

最大反向电流rRM 指二极管的两端加上最高反向电压时的反向电流值。反向电流大.则二极管的单向导电性能差,这样的管子容易烧坏,整流效率也差。

二极管的伏安特性，半导体器件的性能可用其伏安特性来描述。特性曲线可分为两部分:加正向偏置电压时的特性称为正向特性,加反向偏置电压时的特性称为反向特性。

在I层半导体区中,位于中间的一层半导体区叫基区;其中一侧的半导体专门用来发射载流子的叫发射区;另一侧专门用来收集载流子的叫集电区。

发射区与基区之间的PN结叫发射结;集电区与基区之间的PN结叫集电结。由基区引出的电极叫基极.用字母B表示;由发射区引出的叫发射极,用字母E表示;由集电区引出的叫集电极,用字母C表示。根据三层半导体区排列方式的不同,可分为NPN型和PNP型两种类型,其结构和符号。