片外驱动器阻抗调整和单芯片终端最大21dBm调整9dBm那样低
发布时间:2022/10/7 14:40:30 访问次数:81
第一个由Intel DDR2确认的512Mb DDR2 SDRAM器件EDE51xxABSE。该器件的数据传输速率高达533Mbps，工作电压1.8V，能满足下一代PC，工作站和服务器对高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。
Elpida的大容量宽带宽512Mb DDR2 SDRAM器件是采用0.11um工艺制造的。
它的结构分别为128Mx4位;64MX8为和132MX16位，采用FBGA封装。基于DDR2的器件的CAS等待3，4，突发长度4和8。器件的先进DDR2结构包括有片外驱动器阻抗调整和单芯片终端(ODT)，提供更好的系统时序和提高信号质量。
EDE51xxABSE和JEDEC标准兼容，用作DDR2 DIMM基本器件。
一种大容量低成本经久耐用的称为存储元件(SE)的硬盘驱动器(HDD)，尺寸只有42.8x36.4x5mm。据称，它在各种存储解决方案中有最低的成本/容量比。
为了防止工作时的机械损害，SE的传感器指令在震动的情况下主设备限制存取。该器件能经受从1米高的地方跌落到硬表面而不损坏。
E-pHENT缓冲放大器还有"智能偏压"功能，通过改变外接电阻就能把输出功率从最大的21dBm调整到9dBm那样低。
这使它很适合用作LO缓冲放大器，驱动需要最低7dBm LO驱动的低成本7级混频器。
该器件采用0.25微米CMOS工艺，单电源2.5V工作，I/O电压和2.5V/3.3V兼容，很容易和低压数字系统接口。
转换器采用管线结构，以得到高线性。在40MSPS时，SNR为59.8dB，SINAD为57.5dB。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
第一个由Intel DDR2确认的512Mb DDR2 SDRAM器件EDE51xxABSE。该器件的数据传输速率高达533Mbps，工作电压1.8V，能满足下一代PC，工作站和服务器对高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。
Elpida的大容量宽带宽512Mb DDR2 SDRAM器件是采用0.11um工艺制造的。
它的结构分别为128Mx4位;64MX8为和132MX16位，采用FBGA封装。基于DDR2的器件的CAS等待3，4，突发长度4和8。器件的先进DDR2结构包括有片外驱动器阻抗调整和单芯片终端(ODT)，提供更好的系统时序和提高信号质量。
EDE51xxABSE和JEDEC标准兼容，用作DDR2 DIMM基本器件。
一种大容量低成本经久耐用的称为存储元件(SE)的硬盘驱动器(HDD)，尺寸只有42.8x36.4x5mm。据称，它在各种存储解决方案中有最低的成本/容量比。
为了防止工作时的机械损害，SE的传感器指令在震动的情况下主设备限制存取。该器件能经受从1米高的地方跌落到硬表面而不损坏。
E-pHENT缓冲放大器还有"智能偏压"功能，通过改变外接电阻就能把输出功率从最大的21dBm调整到9dBm那样低。
这使它很适合用作LO缓冲放大器，驱动需要最低7dBm LO驱动的低成本7级混频器。
该器件采用0.25微米CMOS工艺，单电源2.5V工作，I/O电压和2.5V/3.3V兼容，很容易和低压数字系统接口。
转换器采用管线结构，以得到高线性。在40MSPS时，SNR为59.8dB，SINAD为57.5dB。
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