大动态范围低频信号的地方如智能温度/压力传感器
发布时间:2022/10/6 21:42:45 访问次数:110
P-MOSFET FDZ299P，它是超小型1.5x1.5mm BGA封装。目标应用在手机，PDA，手提音乐播放器，GPS接收器和数码相机的电源管理。
典型的MOSFET是标准封装，同样尺寸的耗散功率不能大于150mW或在稳态处理350mA以上的电流，而FDZ299P的耗散功率有1.7W。
FDZ229P的封装高度最高为0.8mm，使该器件能装配成RF屏蔽，内部子系统和显示器。该器件的导通电阻RDS(on)极低，VGS=-4.5V时为55毫欧姆，VGS=-2.5V为80毫欧姆，栅极电荷低，VGS =4.5V, Qg=9nC。
该新器件目标应用在需要精密测量大动态范围低频信号的地方如智能传感器，温度/压力传感器，4-20mA控制回路和病人监护系统。
主ADC中还有可编增益放大器（PGA），以便直接测量低电平信号。
ADuC847是ADuC845的低成本型号，它没有第二个ADC和DAC，不能同时进行A/D转换和经由DAC的控制，以便简化应用。
多核方案满足高性能控制处理系统的严格要求，变得越来越引人注目。许多个ARM966E-S核集成在单一ASIC芯片上，证明了ARM架构和AMBA总线结构的灵活性。
片上代码闪存/电擦除（EE）存储器允许在电路中进行重新编程，而单独的数据存储器则提供了非挥发的读/写区，以增加安全性。
主和辅两种ADC都采用了该公司的高频"斩波"技术以得到极好的DC失调和失调漂移性能。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
P-MOSFET FDZ299P，它是超小型1.5x1.5mm BGA封装。目标应用在手机，PDA，手提音乐播放器，GPS接收器和数码相机的电源管理。
典型的MOSFET是标准封装，同样尺寸的耗散功率不能大于150mW或在稳态处理350mA以上的电流，而FDZ299P的耗散功率有1.7W。
FDZ229P的封装高度最高为0.8mm，使该器件能装配成RF屏蔽，内部子系统和显示器。该器件的导通电阻RDS(on)极低，VGS=-4.5V时为55毫欧姆，VGS=-2.5V为80毫欧姆，栅极电荷低，VGS =4.5V, Qg=9nC。
该新器件目标应用在需要精密测量大动态范围低频信号的地方如智能传感器，温度/压力传感器，4-20mA控制回路和病人监护系统。
主ADC中还有可编增益放大器（PGA），以便直接测量低电平信号。
ADuC847是ADuC845的低成本型号，它没有第二个ADC和DAC，不能同时进行A/D转换和经由DAC的控制，以便简化应用。
多核方案满足高性能控制处理系统的严格要求，变得越来越引人注目。许多个ARM966E-S核集成在单一ASIC芯片上，证明了ARM架构和AMBA总线结构的灵活性。
片上代码闪存/电擦除（EE）存储器允许在电路中进行重新编程，而单独的数据存储器则提供了非挥发的读/写区，以增加安全性。
主和辅两种ADC都采用了该公司的高频"斩波"技术以得到极好的DC失调和失调漂移性能。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
相关技术资料- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
- 5-10全新SRP5030HMT 屏蔽式功率电感系列
- 5-10SiC 模块、激光雷达、高精度传感器工作原理
- 5-10瑞芯微 RK3588M结构技术参数设计
- 5-10安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片发展趋势
- 5-10高端电源芯片和智能功率器件发展前景分析
- 5-10SerDes 芯片组 NLS9116 和 NLS9246探究
公网安备44030402000607
