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1/f低噪声的5V模拟CMOS及30V漏极扩展型CMOS完美组合

发布时间:2022/9/1 12:38:04 访问次数:54

在400kHz频率和2.5-3.3V低压下运行的并行到串行接口I2C总线控制器。PCA9564优化多重I2C设备或SMus组件与微处理器、微控制器、数字信号处理器(DSP)之间的连接。

通过扩展I2C在计算、电信和联网系统应用方面作为维护和控制总线的用途,该芯片具有更高的速度和更低的电压.FOD2742光隔离误差放大器,其误差范围低至0.5%和尺寸小的性能特点,使该产品成为精密电源和转换器设备的理想器件。

FOD2742是光隔离误差放大器系列的第四款产品,其它三款产品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741,为设计人员提供了参考电压、容差和封装尺寸的不同选择。

DA1855A高性能差分放大器,结合DXC100A无源差分电压探头,提供高共模抑制比(CMRR),这在进行高端门驱动测量时是非常需要的。

DA1855A的快速过驱动恢复能力允许放大器从严重的过驱动条件下在几十钠秒内完全恢复,以保证从时间上精确测量开关管的导通跃变,完成饱和电压的测量。

DA1855A的控制是完全整合于力科的软件包中,以保证正确的单位和刻度因子显示,及一致性和操作简便。PMA2也是同其他厂家的探头和放大器相容的,甚至能显示正确的单位和刻度因子,为工程师提供最大的灵活性。

HPA07独特的处理能力及丰富的功能集将使TI模拟工程师开发出独特的电路,并将可创建高集成度功能电路的各种功能与无与伦比的高精度模拟规范进行完美组合。

电压系数不到5ppm/V的高精度电容器、1kOhm/square SiCr电阻器、具有1/f低噪声的5V模拟CMOS及30V漏极扩展型CMOS等的完美组合为设计人员提供了实现各种新产品设计而专门优化的高精度组件。

180nm互补MOS技术的嵌入式闪存。ST的180nm嵌入闪存技术创造了世界上最小的单元尺寸,每个闪存单元仅占硅片面积0.37um2。极小的单元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存储阵列所需的硅面积,从而降低了芯片的制造成本。


在400kHz频率和2.5-3.3V低压下运行的并行到串行接口I2C总线控制器。PCA9564优化多重I2C设备或SMus组件与微处理器、微控制器、数字信号处理器(DSP)之间的连接。

通过扩展I2C在计算、电信和联网系统应用方面作为维护和控制总线的用途,该芯片具有更高的速度和更低的电压.FOD2742光隔离误差放大器,其误差范围低至0.5%和尺寸小的性能特点,使该产品成为精密电源和转换器设备的理想器件。

FOD2742是光隔离误差放大器系列的第四款产品,其它三款产品包括FOD2712、FOD2711和FOD2741,为设计人员提供了参考电压、容差和封装尺寸的不同选择。

DA1855A高性能差分放大器,结合DXC100A无源差分电压探头,提供高共模抑制比(CMRR),这在进行高端门驱动测量时是非常需要的。

DA1855A的快速过驱动恢复能力允许放大器从严重的过驱动条件下在几十钠秒内完全恢复,以保证从时间上精确测量开关管的导通跃变,完成饱和电压的测量。

DA1855A的控制是完全整合于力科的软件包中,以保证正确的单位和刻度因子显示,及一致性和操作简便。PMA2也是同其他厂家的探头和放大器相容的,甚至能显示正确的单位和刻度因子,为工程师提供最大的灵活性。

HPA07独特的处理能力及丰富的功能集将使TI模拟工程师开发出独特的电路,并将可创建高集成度功能电路的各种功能与无与伦比的高精度模拟规范进行完美组合。

电压系数不到5ppm/V的高精度电容器、1kOhm/square SiCr电阻器、具有1/f低噪声的5V模拟CMOS及30V漏极扩展型CMOS等的完美组合为设计人员提供了实现各种新产品设计而专门优化的高精度组件。

180nm互补MOS技术的嵌入式闪存。ST的180nm嵌入闪存技术创造了世界上最小的单元尺寸,每个闪存单元仅占硅片面积0.37um2。极小的单元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存储阵列所需的硅面积,从而降低了芯片的制造成本。


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