分立式MIMO解决方案板上占位面积比SE2566U大约250%
发布时间:2022/8/2 8:06:02 访问次数:68
抖动衰减时钟倍频芯片Si5315,进一步扩充任意速率(Any-Rate)精密时钟系列产品。新器件可满足甚至超出1G和10G同步以太网(SyncE)市场对于性能、集成度、频率和抖动的需求。
除支持SONET/SDH和以太网时钟外, Si5315更是业界唯一可支持10G线路编码率 (Line Encoding Rates)(161.13MHz)的同步以太网时钟倍频芯片。
此芯片无需外部锁相环(PLL)组件,能大幅简化线卡设计以及电信级以太网交换路由器 (CESR)、无线回传(Wireless Backhaul)、3G/4G基站、多重服务存取平台、无源光纤网络、IP DSLAM和T1/E1基础设备中的频率转换。
由NPN型三极管构成的交流小信号放大器,三极管的hfem应选大于800的,电源经R1和R2分压后为基极提供偏压(约为2v),输入信号经耦合电路c1加到三极管的基极。基极偏压ub=R/(R1+R2)x12V=22`
(100+22)×12=⒉16V。如果输入电压为1V±0.5V,则基极输入电压值为1.66~2.66V。
由于三极管的基极与发射极之间的电压固定为0.6V,则三极管发射极电压为1.06~2.06V。
发射极电阻为1.5kΩ,可求得发射极电流re;集电极电阻为5.6kΩ,可求得集电极电压。
集电极电压在4.8~8V之间变化,集电极与发射极之间的电压为1.94~6.7V。
三极管交流小信号放大器检测环境的搭建、元器件的连接和检测仪表的连接检测方法。
三极管交流小信号放人器的搭建、元器件的连接和检测仪表的连接方法,放大器的检测可分为静态检测法和动态检测法。

以4mmx4mm、3mmx3mm或2mmx2mm封装的两个分立式不匹配功放,来实现双流MIMO解决方案。这些分立式MIMO解决方案的板上占位面积比SE2566U大约250%。后者的高集成度可以降低材料清单成本和板上占位空间,从而节省成本。
SE2566U 内置了一个动态范围为20dB的对负载不敏感的集成式功率检测器。该检测器采用了温度补偿,以获得稳定准确的性能。最后,SE2566还集成了一个参考电压发生器,允许直接通过基带实现 1.8V CMOS数字控制,无需模拟偏置控制,而且耗电量不到1uA。
抖动衰减时钟倍频芯片Si5315,进一步扩充任意速率(Any-Rate)精密时钟系列产品。新器件可满足甚至超出1G和10G同步以太网(SyncE)市场对于性能、集成度、频率和抖动的需求。
除支持SONET/SDH和以太网时钟外, Si5315更是业界唯一可支持10G线路编码率 (Line Encoding Rates)(161.13MHz)的同步以太网时钟倍频芯片。
此芯片无需外部锁相环(PLL)组件,能大幅简化线卡设计以及电信级以太网交换路由器 (CESR)、无线回传(Wireless Backhaul)、3G/4G基站、多重服务存取平台、无源光纤网络、IP DSLAM和T1/E1基础设备中的频率转换。
由NPN型三极管构成的交流小信号放大器,三极管的hfem应选大于800的,电源经R1和R2分压后为基极提供偏压(约为2v),输入信号经耦合电路c1加到三极管的基极。基极偏压ub=R/(R1+R2)x12V=22`
(100+22)×12=⒉16V。如果输入电压为1V±0.5V,则基极输入电压值为1.66~2.66V。
由于三极管的基极与发射极之间的电压固定为0.6V,则三极管发射极电压为1.06~2.06V。
发射极电阻为1.5kΩ,可求得发射极电流re;集电极电阻为5.6kΩ,可求得集电极电压。
集电极电压在4.8~8V之间变化,集电极与发射极之间的电压为1.94~6.7V。
三极管交流小信号放大器检测环境的搭建、元器件的连接和检测仪表的连接检测方法。
三极管交流小信号放人器的搭建、元器件的连接和检测仪表的连接方法,放大器的检测可分为静态检测法和动态检测法。

以4mmx4mm、3mmx3mm或2mmx2mm封装的两个分立式不匹配功放,来实现双流MIMO解决方案。这些分立式MIMO解决方案的板上占位面积比SE2566U大约250%。后者的高集成度可以降低材料清单成本和板上占位空间,从而节省成本。
SE2566U 内置了一个动态范围为20dB的对负载不敏感的集成式功率检测器。该检测器采用了温度补偿,以获得稳定准确的性能。最后,SE2566还集成了一个参考电压发生器,允许直接通过基带实现 1.8V CMOS数字控制,无需模拟偏置控制,而且耗电量不到1uA。