三极管的放大倍数(乃FE)是三极管在放大状态下集电极电流与基极电流之比,即hFE=ic/ibc。NPN型三极管放大倍数的检测电路。

NPN型三极管放大倍数的检测电路，一般小信号放大用三极管的基极一发射极电压ubc=0.6V,电源电压为6V,基极电阻Rb的电压降为6V-0.6V=5,4V,由此可求出基极电流,Fb=5.4V/510kΩ≈0.01mA,此时检测集电极电流。三极管不同,放大倍数不同,所测得的集电极电流不同。

用电流表或万用表电流挡测量三极管的集电极电流时,如测得的集电极电流为2mA,则饪E=2/0,01=200。三极管放大倍数测试电路的连接方法。

三极管放大倍数测试电路的连接方法，PNP型三极管放大倍数测试电路及电路连接方法，该电路与NPN测试电路相比,电池的极性反接。

20Vn通道功率MOSFET+肖特基二极管---SiB800EDK，该器件采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK®SC-75封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在100mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。

将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。

SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 时）～0.225Ω（4.5V VGS 时）的低导通电阻范围。1.5V时的低导通电阻额定值可使MOSFET与低电平时的信号一同使用。

整个芯片（内置仪表放大器与两个运算放大器）的总功耗仅为2mA，可实现具有更大通道密度及更低成本的设计。

RF前端解决方案一种创新性架构，首次在单芯片上集成两个完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。这种架构对外形尺寸和功耗进行了优化，使制造商能够支持计算和嵌入式系统中的无线多媒体应用，同时满足消费者在微型化、电池寿命和低成本方面越来越严苛的要求。

SE2566U是业界唯一一款集成了两个2.4GHz完全匹配功放的RF前端解决方案。