PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术功率MOSFET
发布时间:2022/7/31 6:47:16 访问次数:70
一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET,无裸芯片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III 制程,典型导通电阻仅为1.5毫欧。
日常生活中使用的电能主要来自其他形式能量的转换,包括水能(水力发电)、热能(火力发电)、原子能(原子能发电)、风能(风力发电)、化学能(电池)及光能(光电池、太阳能电池等)等。电能也可转换成其他所需能量形式。它可以采用有线或无线的形式进行远距离传输。
氧气的产生为基本的氧气发生器简图。氧气发生器的芯子是由氯酸钠和铁粉等物质混合制成的,俗称“氧烛”。在温度400T以下是惰性的,只有当温度达到478°F时,氯酸钠才释放出其重量的45%的气态氧,而分解所需热量由铁粉在化学反应过程中产生。
在实际使用中,当增压失效,座舱高度达到14,000盘时氧气面罩自动落下,使用者拉动面罩可使电爆式激发装置点燃氧烛;或者通过控制驾驶舱氧气电门,也可人工超控点燃氧烛。
当氧烛启燃后,供氧量以预定的速度进行,供氧时间为12min(或22 min)。正常压力为10 psi,当压力达到50psi时,氧气释放活门放掉氧气。
非隔离多电源域(各电源域电压不同)的应用,各个电源域共地彼此之间存在数据链接,彼此之间的电平需要转换,否则高压侧向低压侧漏电,严重时彼此烧毁。
使用BL712X/BL714X系列数字隔离器在非隔离共地的情况下实现电平转化,替代专用电平转化芯片同样可解决高侧向低测漏电问题。
通过上文的场景描述,可以看出,数字隔离器其功能绝不仅限于“隔离”,数字隔离芯片同样适合用于非隔离电平转化应用。隔离器件从用途上可用于隔离接口、隔离驱动、电平转换等。
在功率二极管方面,我们已经采用SMA/SMB/SMC整流器封装将近30年。
一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管,新产品拥有市场上最低的导通电阻,可以把功率转换损耗降至最低,并提高系统性能。新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET,无裸芯片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III 制程,典型导通电阻仅为1.5毫欧。
日常生活中使用的电能主要来自其他形式能量的转换,包括水能(水力发电)、热能(火力发电)、原子能(原子能发电)、风能(风力发电)、化学能(电池)及光能(光电池、太阳能电池等)等。电能也可转换成其他所需能量形式。它可以采用有线或无线的形式进行远距离传输。
氧气的产生为基本的氧气发生器简图。氧气发生器的芯子是由氯酸钠和铁粉等物质混合制成的,俗称“氧烛”。在温度400T以下是惰性的,只有当温度达到478°F时,氯酸钠才释放出其重量的45%的气态氧,而分解所需热量由铁粉在化学反应过程中产生。
在实际使用中,当增压失效,座舱高度达到14,000盘时氧气面罩自动落下,使用者拉动面罩可使电爆式激发装置点燃氧烛;或者通过控制驾驶舱氧气电门,也可人工超控点燃氧烛。
当氧烛启燃后,供氧量以预定的速度进行,供氧时间为12min(或22 min)。正常压力为10 psi,当压力达到50psi时,氧气释放活门放掉氧气。
非隔离多电源域(各电源域电压不同)的应用,各个电源域共地彼此之间存在数据链接,彼此之间的电平需要转换,否则高压侧向低压侧漏电,严重时彼此烧毁。
使用BL712X/BL714X系列数字隔离器在非隔离共地的情况下实现电平转化,替代专用电平转化芯片同样可解决高侧向低测漏电问题。
通过上文的场景描述,可以看出,数字隔离器其功能绝不仅限于“隔离”,数字隔离芯片同样适合用于非隔离电平转化应用。隔离器件从用途上可用于隔离接口、隔离驱动、电平转换等。
在功率二极管方面,我们已经采用SMA/SMB/SMC整流器封装将近30年。