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低漏电流的出色电源抑制比和抑制上电爆破音的机制

发布时间:2022/7/10 0:45:34 访问次数:88

硅调谐器取代传统的分立式调谐器,希望能由此降低成本、减少复杂度并符合各种标准,同时改善客户产品的外型尺寸。

在此之前,硅调谐器仍无法完全实现这些目标,因此数字电视仍使用传统的分立式调谐器,以求达到实际上最佳的接收性能。在此同时,为了支持混合的模拟和数字广播接收,并符合各地区的广播标准和系统需求,系统的复杂度和这些解决方案的成本正不断增加。

为了超越传统分立式电视调谐器的性能,Si2170硅调谐器集成了高线性射频(RF)前端设计,其结合独特、内置的低噪声放大器(LNA)和高Q (high-Q)追踪滤波器,提供仅在预期通道频率附近的增益。

半桥MOSFET 封装,为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸,极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。

ZXMHC3A01N8 和 ZXMHC3F381N8 两款30V 半桥器件适用于12V直流风扇和逆变器应用,可为用户提供低RDS(ON)性能选择。业界首个60V额定的ZXMHC6A07N8 和100V额定的 ZXMHC10A07N8分别适用于24V 直流和 48V 直流电机控制电路。

容性传感器增强了包括笔记本电脑、LCD监测器、打印机和家用电器在内的各种产品的抗干扰性能。

这样就免去了对隔直电容的需求,并可显著节省PCB空间和音频子系统的材料清单。

WM8961还采用欧胜专有的W类放大器技术,即G/H类的升级,采用了一个自适应双驱动电荷泵和直流伺服电路架构,可在回放时智能优化效率和功耗,并且确保耳机放大器在16Ω负载和 1%总谐波失真+噪音(THD+N)时可提供高达30mW的功率。

WM8961的立体声免滤波器D类扬声器驱动器在THD+N小于1%和电压为5V时,可为8Ω负载提供每通道1W的驱动。其低漏电流的出色电源抑制比(PSRR)和抑制上电爆破音的机制,也支持直接将电池连接到扬声器电源。



硅调谐器取代传统的分立式调谐器,希望能由此降低成本、减少复杂度并符合各种标准,同时改善客户产品的外型尺寸。

在此之前,硅调谐器仍无法完全实现这些目标,因此数字电视仍使用传统的分立式调谐器,以求达到实际上最佳的接收性能。在此同时,为了支持混合的模拟和数字广播接收,并符合各地区的广播标准和系统需求,系统的复杂度和这些解决方案的成本正不断增加。

为了超越传统分立式电视调谐器的性能,Si2170硅调谐器集成了高线性射频(RF)前端设计,其结合独特、内置的低噪声放大器(LNA)和高Q (high-Q)追踪滤波器,提供仅在预期通道频率附近的增益。

半桥MOSFET 封装,为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸,极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。

ZXMHC3A01N8 和 ZXMHC3F381N8 两款30V 半桥器件适用于12V直流风扇和逆变器应用,可为用户提供低RDS(ON)性能选择。业界首个60V额定的ZXMHC6A07N8 和100V额定的 ZXMHC10A07N8分别适用于24V 直流和 48V 直流电机控制电路。

容性传感器增强了包括笔记本电脑、LCD监测器、打印机和家用电器在内的各种产品的抗干扰性能。

这样就免去了对隔直电容的需求,并可显著节省PCB空间和音频子系统的材料清单。

WM8961还采用欧胜专有的W类放大器技术,即G/H类的升级,采用了一个自适应双驱动电荷泵和直流伺服电路架构,可在回放时智能优化效率和功耗,并且确保耳机放大器在16Ω负载和 1%总谐波失真+噪音(THD+N)时可提供高达30mW的功率。

WM8961的立体声免滤波器D类扬声器驱动器在THD+N小于1%和电压为5V时,可为8Ω负载提供每通道1W的驱动。其低漏电流的出色电源抑制比(PSRR)和抑制上电爆破音的机制,也支持直接将电池连接到扬声器电源。



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