内部MOSFET开关在电流流动摩擦力应保持在合适的范围
发布时间:2022/6/14 13:22:25 访问次数:114
SPI接口4Kb非易失性存储器,提升了F-RAM技术的高速写入能力。
这款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM产品的直接硬件替代产品,但功能更强,具有高速的写入能力、几乎无限次的擦写,以及低工作电流。FM25L04-GA可以在高达10MHz的总线速度下进行读写操作,并具有先进的写保护方案以防止意外的写入与数据损坏。
在+125℃时保证数据保存9,000小时,在55℃时数据在汽车温度范围内并以3.0V电压运行。该产品采用“绿色”环保的8脚SOIC封装。
现在的刹车作动筒采用高强度不锈钢薄壁结构,由于不锈钢导热能力低,加之简壁很薄,传导热量很少,就不必采用对人体有害的石棉隔热块了。
卡环回程弹簧调节杆螺母调节管压力盘调节球,调节管式问隙自动调节器,刹车装置更换新刹车片后,必须调整刹车间隙自动调节器,否则刹车间隙将过小.
保持复位弹簧润滑,防止因弹簧卡滞造成压力盘回程不一致,压力盘回程不一致将导致摩擦片偏磨,降低刹车效率和刹车装置使用寿命。另外,对于摩擦式间隙自动调整器,摩擦套的摩擦力应保持在合适的范围内(F摩擦=2~3F帷)垫片.
由于返回电路的电路或电缆的寄生电感,当内部MOSFET开关在电流流动期间关闭时,输入电压会急涨至标称工作电压以上。D1保护LTC4381 VCC引脚的80 V绝对最大额定值,而D2保护内部100V MOSFET不受雪崩影响。
D1也将输出钳位电压设置到66.5V (56V+10.5V),以防不使用D2。R1和C1过滤VIN升高和下降。如果有电容接近LTC4381限制电压尖峰,低于80V,则VCC引脚可以直接连接至VIN。在这种情况下,可以取消使用D1、D2、R1和C1。
10A流过内部MOSFET时,LTC4381的初始压降为90mV,功耗为900mW,功耗会使DC2713A-D评估板上的LTC4381封装的温度升高到约100°C,达到RDS(ON)的两倍,且使压降升高到180mV。
SPI接口4Kb非易失性存储器,提升了F-RAM技术的高速写入能力。
这款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM产品的直接硬件替代产品,但功能更强,具有高速的写入能力、几乎无限次的擦写,以及低工作电流。FM25L04-GA可以在高达10MHz的总线速度下进行读写操作,并具有先进的写保护方案以防止意外的写入与数据损坏。
在+125℃时保证数据保存9,000小时,在55℃时数据在汽车温度范围内并以3.0V电压运行。该产品采用“绿色”环保的8脚SOIC封装。
现在的刹车作动筒采用高强度不锈钢薄壁结构,由于不锈钢导热能力低,加之简壁很薄,传导热量很少,就不必采用对人体有害的石棉隔热块了。
卡环回程弹簧调节杆螺母调节管压力盘调节球,调节管式问隙自动调节器,刹车装置更换新刹车片后,必须调整刹车间隙自动调节器,否则刹车间隙将过小.
保持复位弹簧润滑,防止因弹簧卡滞造成压力盘回程不一致,压力盘回程不一致将导致摩擦片偏磨,降低刹车效率和刹车装置使用寿命。另外,对于摩擦式间隙自动调整器,摩擦套的摩擦力应保持在合适的范围内(F摩擦=2~3F帷)垫片.
由于返回电路的电路或电缆的寄生电感,当内部MOSFET开关在电流流动期间关闭时,输入电压会急涨至标称工作电压以上。D1保护LTC4381 VCC引脚的80 V绝对最大额定值,而D2保护内部100V MOSFET不受雪崩影响。
D1也将输出钳位电压设置到66.5V (56V+10.5V),以防不使用D2。R1和C1过滤VIN升高和下降。如果有电容接近LTC4381限制电压尖峰,低于80V,则VCC引脚可以直接连接至VIN。在这种情况下,可以取消使用D1、D2、R1和C1。
10A流过内部MOSFET时,LTC4381的初始压降为90mV,功耗为900mW,功耗会使DC2713A-D评估板上的LTC4381封装的温度升高到约100°C,达到RDS(ON)的两倍,且使压降升高到180mV。