增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造保证产品优良特性
发布时间:2024/8/24 21:49:29 访问次数:7
RDAT212射频前端模块工艺先进,内集成的功率放大器PA采用先进的砷化镓异质结双极晶体管GaAs HBT工艺制造、低噪声放大器LNA和天线开关Switch采用增强型高电子迁移率场效应晶体管E-PHEMT工艺制造,保证了产品的优良特性。
输出电源从6.5V到30V,5V和8V用于MOSFET,13V和17V UVLO用于SiC阈值.
共模瞬态免疫CMTI大于200V/ns.主要用在马达驱动,DC/DC和AC/DC电源的隔离转换器,服务器,通信和工业基础设备以及UPS和太阳能逆变器.
带杆活塞就被钢珠锁定在外筒上。上锁后,带杆活塞所受到的外力或液压作用力是通过钢珠传到外筒上的,所以钢珠要受到挤压作用。
打开钢珠锁的过程与上述相反。高压油从B口进入,向右推锥形活塞,使它离开钢珠,带杆活塞在高压油液作用下,可使钢珠滑出锁槽,并向左移动。
以上所述的是单面钢珠锁,它只能把被传动部件锁在一个极限位置。如果被传动部件在收上和放下时,都要利用作动筒来固定其位置,则往往采用带双面钢珠锁的作动筒。

一款准确度在+/-1℃范围内的远程结温传感器与本地温度传感器集成一体的器件TMP411,用于监控 CPU、微处理器、图形处理单元与FPGA中的热敏二极管。
该器件的独特之处在于其不仅具备可编程串联电阻抵消与二极管非理想性校正功能,而且简化并消除了远程二极管监控中常见的独立处理器电阻校准过程,节省了时间。
TMP411具备可编程过温与欠温(under-temperature)阈值,以及可对潜在危险散热环境作出即时响应的报警引脚。
深圳市俊晖半导体有限公司http://jhbdt1.51dzw.com
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输出电源从6.5V到30V,5V和8V用于MOSFET,13V和17V UVLO用于SiC阈值.
共模瞬态免疫CMTI大于200V/ns.主要用在马达驱动,DC/DC和AC/DC电源的隔离转换器,服务器,通信和工业基础设备以及UPS和太阳能逆变器.
带杆活塞就被钢珠锁定在外筒上。上锁后,带杆活塞所受到的外力或液压作用力是通过钢珠传到外筒上的,所以钢珠要受到挤压作用。
打开钢珠锁的过程与上述相反。高压油从B口进入,向右推锥形活塞,使它离开钢珠,带杆活塞在高压油液作用下,可使钢珠滑出锁槽,并向左移动。
以上所述的是单面钢珠锁,它只能把被传动部件锁在一个极限位置。如果被传动部件在收上和放下时,都要利用作动筒来固定其位置,则往往采用带双面钢珠锁的作动筒。

一款准确度在+/-1℃范围内的远程结温传感器与本地温度传感器集成一体的器件TMP411,用于监控 CPU、微处理器、图形处理单元与FPGA中的热敏二极管。
该器件的独特之处在于其不仅具备可编程串联电阻抵消与二极管非理想性校正功能,而且简化并消除了远程二极管监控中常见的独立处理器电阻校准过程,节省了时间。
TMP411具备可编程过温与欠温(under-temperature)阈值,以及可对潜在危险散热环境作出即时响应的报警引脚。
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