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升压转换器10纳米级DRAM节点的第3代或第4代二极管排查

发布时间:2022/5/28 19:43:34 访问次数:133


24、12和5伏设备为每个电压要求单独的电源会很昂贵,并且需要将220伏交流电引入子面板。

当提供不同的输入电平时,这些称为DC-DC转换器的设备可用于输出单个DC电压。存在两个这样的转换器系列。首先,最常见的是直流降压转换器,它将输入电压降低到较低的稳定输出。另一种称为升压转换器,可将输入电压升高到输出。

对于工业应用,可能会出现24伏的输入馈电并进一步降低到12和5伏,因此24伏是常见的DC-DC转换器输入.当输入电源用于电机或其他负载设备时,转换器的输入范围为10-30伏(类似于许多离散传感器)或高达90伏直流电。

机翼的上下壁板由机翼大梁缘条和整体壁板铆接而成,机翼弯曲产生的正应力由大梁缘条和整体壁板一起承担。如果大梁缘条由于裂纹扩展而失效,整体壁板仍可以承受正应力将弯矩传递过去。


损伤容限结构在规定的未修使用周期内,抵抗由于缺裂纹或其他损伤造成的破坏的能力。也可以说是在保证结构安全可靠地工作到下次检查的条件下,允许结构存在缺陷和损伤。


焊接不良可能出现在DC/DC 变流器IC及其外围器件上,分为两种情况:相邻pin脚短接和pin脚虚焊。短接问题通过观察pin脚焊接情况并且测试相邻pin阻抗确定,IC的pin脚虚焊可利用IC内部的二极管排查。


裂纹扩展寿命在设计应力谱作用下,til初始裂纹扩展到临界裂纹时所得的寿命。

当在一片系统板子上发现问题的时候,首先要做的是尝试在另外一片或多片板子上重复现象。如果现象无法重复,那么问题可能是由于焊接不良或者IC损坏导致的。

DDR5 SDRAM标准(JESD79-5A),包括密集型云和企业数据中心应用驱动的需求要求,为开发人员提供了两倍的性能和大大提高的能效。


为了更高的密度和更高的性能,DDR5有望采用最先进的DRAM单元技术节点,例如D1z或D1a(D1) 代,这是10纳米级DRAM节点的第3代或第4代。DDR5内存包含多项创新和新的DIMM架构,可实现速度等级跳跃并支持未来扩展。




24、12和5伏设备为每个电压要求单独的电源会很昂贵,并且需要将220伏交流电引入子面板。

当提供不同的输入电平时,这些称为DC-DC转换器的设备可用于输出单个DC电压。存在两个这样的转换器系列。首先,最常见的是直流降压转换器,它将输入电压降低到较低的稳定输出。另一种称为升压转换器,可将输入电压升高到输出。

对于工业应用,可能会出现24伏的输入馈电并进一步降低到12和5伏,因此24伏是常见的DC-DC转换器输入.当输入电源用于电机或其他负载设备时,转换器的输入范围为10-30伏(类似于许多离散传感器)或高达90伏直流电。

机翼的上下壁板由机翼大梁缘条和整体壁板铆接而成,机翼弯曲产生的正应力由大梁缘条和整体壁板一起承担。如果大梁缘条由于裂纹扩展而失效,整体壁板仍可以承受正应力将弯矩传递过去。


损伤容限结构在规定的未修使用周期内,抵抗由于缺裂纹或其他损伤造成的破坏的能力。也可以说是在保证结构安全可靠地工作到下次检查的条件下,允许结构存在缺陷和损伤。


焊接不良可能出现在DC/DC 变流器IC及其外围器件上,分为两种情况:相邻pin脚短接和pin脚虚焊。短接问题通过观察pin脚焊接情况并且测试相邻pin阻抗确定,IC的pin脚虚焊可利用IC内部的二极管排查。


裂纹扩展寿命在设计应力谱作用下,til初始裂纹扩展到临界裂纹时所得的寿命。

当在一片系统板子上发现问题的时候,首先要做的是尝试在另外一片或多片板子上重复现象。如果现象无法重复,那么问题可能是由于焊接不良或者IC损坏导致的。

DDR5 SDRAM标准(JESD79-5A),包括密集型云和企业数据中心应用驱动的需求要求,为开发人员提供了两倍的性能和大大提高的能效。


为了更高的密度和更高的性能,DDR5有望采用最先进的DRAM单元技术节点,例如D1z或D1a(D1) 代,这是10纳米级DRAM节点的第3代或第4代。DDR5内存包含多项创新和新的DIMM架构,可实现速度等级跳跃并支持未来扩展。



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