SiC的一个关键区别在于其更高的系统级效率，这是因为SiC具有更大的功率密度、更低的功率损耗、更高的工作频率和更高的工作温度。

这意味着单次充电续航里程更高，电池尺寸可以更小，车载充电器的充电时间更快。

用先进的SiC芯片取代现有的Si开关技术，减少了逆变器中的能量损失，使车辆能够提供额外的续航能力。例如，经过实车验证，Onsemi的VE-Trac Direct SiC功率模块，可以将逆变器系统的效率提高40%，从而使净驾驶里程增加了4%-8%。

6位数字编号中前两位表示章,第三位表示子(分)系统,第四位表示次级子(分)系统,后两位表示主题。

参照A320的AMM液压系统,子系统10为主液压源,11为绿色主液压源,12为蓝色主液压源,13为黄色主飞机:系统(sys)一子系统(sys-sub)一部件(Unk)出版物;章(ChaptCr)―节(section)―主题(SubjCct)

由于材料性能不尽相同，碳化硅与氮化镓在应用场景上也略有差异。碳化硅具备更高的热导率，主要面向新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等高压、高功率应用；而氮化镓则以其更高的电子迁移率，高频特性较好，广泛应用于PD快充、新能源充电桩、5G通信等领域。

单芯片、多频带射频收发器以及DBB03数字基带专用集成电路。所有数据管理与跳频均在DBB03上的固件中实现，物理、MAC及数据链路层。

一个简单的外部主机微控制器即可执行与终端应用相关的所有系统功能。这使设计人员能够灵活地从各种类型的MCU如超低功耗产品系列中选择外部主机。

与主机MCU之间的接口是一个简单的UART，因此终端应用可将射频链路视为外设，从而使其具有更高的灵活性、可扩展性和易于实施性。