IBM和日本TDK合作开发新一代MRAM，使用自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)的新型技术，利用放大的隧道效应，使得磁致电阻的变化提升一倍。

在一枚邮票大小的芯片上做出了1GB内存，业界意识MRAM在达到DRAM的记录密度的成百上千倍同时，速度比内存技术都要快。

在STT生产出28nm pMTJ之前，Everspin是唯一一家出货商用MRAM产品的公司。这家成立于2008年的美国公司由飞思卡尔半导体牵头成立，主营MRAM。

高度集成外设，包括高速USB2.0、I2S、UART、SPI、MMC/SD 以及GPIO，可降低系统成本，支持用户友好性更强的便携式特性；

高达256KB 的片上存储器可通过降低对外部存储器的需求节省电源与系统成本；

C5505在C5504 基础上更进一步，片上存储器容量提高了 64KB（320KB的总容量）；

高达1024 点可编程 FFT 硬件加速器；

集成型 LCD 显示控制器与10位4 通道 SAR ADC，可降低系统成本，实现更强的用户互动便携式特性；

可扩展性较高，而且与C5504引脚兼容，有助于采用相同的软硬件平台设计出完整的产品系列。

因此，在一定程度上，工厂/车间的传感器所产生的大数据直接决定了“工业4.0”所要求的智能化设备的智能水平。

此外，从生产能耗角度看，设备生产过程中利用传感器集中监控所有的生产流程，能够发现能耗的异常或峰值情况,由此能够在生产过程中不断实时优化能源消耗。

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