M21528双电缆驱动器芯片，M21355四时钟恢复器芯片，以及M21524双电缆均衡器芯片, 构成了用于串行数字接口(SDI)的，多信道，多速率，低功耗的芯片组。

新产品为四方扁平无铅封装(QFN)，可以在很小的空间里建立起符合电影电视工程师学会(SMPTE)标准的串行数字界面(SDI)端口。  

双电缆驱动器芯片在速率为143-2,970 Mb/s时，可以驱动二个单极的同轴电缆，或者50的等量负载。双电缆均衡器芯片可以为二个75的同轴电缆提供自适应的低噪音，高增益的均衡。

根据电容分压原理,此时电压大部分降在浮栅与编程晶体管源极，当这部分电压大到使之发生Fowler-Nordheim(FN)隧穿时,电子开始注入到浮栅上，且随着这个过程的发生，浮栅上的电势逐渐下降,并引起编程晶体管栅源电压下降，当这个电压降到低于FN隧穿需要的最小值时，隧穿停止，编程结束。

ArF 光刻胶可以用于 90nm-14nm 技术节点的集成电路制造工艺。公司目前研发的产品包含干式光刻胶和浸没式光刻胶。

通过这项开创性的升级，客户和Digi-Key代表确保价格在30天内有效。即便市场动荡，我们的客户仍可对产品和定价信心满满，而CalcuQuote第一个让这一切成为可能。

单端模块的工作原理由于栅极悬空，与地端没有任何直流通路，故而形成了EEPROM存储单元的等效浮栅结构E,且不需要额外的浮栅工艺。

擦除晶体管与耦合晶体管均连接成电容形式，因此，模块A可等效电容AC2远大于电容AC1及编程晶体管的栅极寄生电容。

(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）