PAS9011集成10G速率下运行的OLT和ONU所需的全部功能
发布时间:2022/1/3 15:07:26 访问次数:189
在一个 AlGaN/GaN MDH 中,往往要考虑两种不同的电离杂质散射。
第一种是由 GaN 层残留的电离杂质产生的,正如上面所讨论的那样 ;第二种是由于导带电子落下的 AlGaN中的电离施主所产生的散射。
由于电离中心的电场压降与距离的平方成正比,因此,这种散射对迁移率的限制作用可以忽略不计。这里没有考虑到的另一种库伦散射是通过异质结界面的电荷所产生的。
界面粗糙能够导致量子阱内的电子能量的微扰,因此,它是很重要的,尤其在狭窄的量子阱中。
功放板是音响系统自带的功放板,性能良好。测试系统连接图,其中包括电源、功放板、采集板卡、计算机等四部分之间的连接。
读出的参数有功放板输出电压的峰值匕p、峰值功率Po以及总谐波失真度THD值。经仔细计算发现,P=V^/Rl,其中Rl=4。这与理论公式相一致,说明测试的数据是正确的。
本测试系统的电源电压加在功放电路板上,由采集板卡提供音频输入信号并采集信号,然后在LabVIEW中运行程序,即可显示测试结果。
PMC-Sierra 为对称10G IEEE 802.3av EPON OLT 和ONU 开发了完整的系统,用于10G OLT 的PAS8011 和用于10G ONU 的PAS9011 集成了在10G 速率下运行的OLT和ONU 所需的全部功能,包括收发器在内,并充分运用PMC-Sierra 领先的EPON 系统和模拟技术。
(素材来源:21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)
在一个 AlGaN/GaN MDH 中,往往要考虑两种不同的电离杂质散射。
第一种是由 GaN 层残留的电离杂质产生的,正如上面所讨论的那样 ;第二种是由于导带电子落下的 AlGaN中的电离施主所产生的散射。
由于电离中心的电场压降与距离的平方成正比,因此,这种散射对迁移率的限制作用可以忽略不计。这里没有考虑到的另一种库伦散射是通过异质结界面的电荷所产生的。
界面粗糙能够导致量子阱内的电子能量的微扰,因此,它是很重要的,尤其在狭窄的量子阱中。
功放板是音响系统自带的功放板,性能良好。测试系统连接图,其中包括电源、功放板、采集板卡、计算机等四部分之间的连接。
读出的参数有功放板输出电压的峰值匕p、峰值功率Po以及总谐波失真度THD值。经仔细计算发现,P=V^/Rl,其中Rl=4。这与理论公式相一致,说明测试的数据是正确的。
本测试系统的电源电压加在功放电路板上,由采集板卡提供音频输入信号并采集信号,然后在LabVIEW中运行程序,即可显示测试结果。
PMC-Sierra 为对称10G IEEE 802.3av EPON OLT 和ONU 开发了完整的系统,用于10G OLT 的PAS8011 和用于10G ONU 的PAS9011 集成了在10G 速率下运行的OLT和ONU 所需的全部功能,包括收发器在内,并充分运用PMC-Sierra 领先的EPON 系统和模拟技术。
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