Deep-sleep1/2模式运行唤醒MCU电压偏置和介质吸收性能
发布时间:2021/12/20 23:20:46 访问次数:356
全新MCU配备了丰富的外设接口增强连接性，GPIO复用率高达93%。对比市场同类低功耗MCU，相同封装的产品能够释放更多的I/O资源。除了电源供电之外，其余的I/O接口都能够用来配置更多功能，极大地满足用户开发所需。
GD32L233系列MCU提供了多至4个通用16位定时器、2个基本定时器和1个32位低功耗定时器，以及标准和高级通信接口：多至2个USART、2个UART、1个低功耗LPUART、3个I2C、2个SPI、1个I2S和1个USB 2.0 FS控制器。其中32位Low power Timer、Low power UART都能够在Deep-sleep1/2模式下运行并唤醒MCU。
NSMX系列产品符合RoHS标准，且完全兼容最新的SAC再流焊处理工艺（+260ºC）。合金端头是镍（Ni）镀100%的锡（Sn）。
NSMX系列产品体积紧凑，可取代那些PCB受限的应用中。
尺寸包括从5.7毫米(长) x 4.5毫米(宽) x 2.2毫米(高)至10.2毫米(长) x 7.2毫米(宽) x 3.1毫米(H)。这些元件采用带和盘包装方式，供自动贴片机使用。
12款新式16位全闪存微控制器78K0R/LF3，这些MCU具有片上液晶显示驱动器，最适合便携式医疗诊断仪器的应用如血糖仪，天然气/水/电子市场和FA设备。
它们还适用于低损耗的电源,或压电问题有特别要求电源如电信电源或LCD背光逆变器。
NSMX系列的额定电压为100VDC，可选择的电容值为0.01F至0.22F。工作温度为-40C 到 +125C（+105\C以上会降额）。NSMX系列产品在温度和频率效能方面的稳定性，以及电压偏置和介质吸收性能，使它们成为其他介质（如MLCC）的绝佳替代品。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
全新MCU配备了丰富的外设接口增强连接性，GPIO复用率高达93%。对比市场同类低功耗MCU，相同封装的产品能够释放更多的I/O资源。除了电源供电之外，其余的I/O接口都能够用来配置更多功能，极大地满足用户开发所需。
GD32L233系列MCU提供了多至4个通用16位定时器、2个基本定时器和1个32位低功耗定时器，以及标准和高级通信接口：多至2个USART、2个UART、1个低功耗LPUART、3个I2C、2个SPI、1个I2S和1个USB 2.0 FS控制器。其中32位Low power Timer、Low power UART都能够在Deep-sleep1/2模式下运行并唤醒MCU。
NSMX系列产品符合RoHS标准，且完全兼容最新的SAC再流焊处理工艺（+260ºC）。合金端头是镍（Ni）镀100%的锡（Sn）。
NSMX系列产品体积紧凑，可取代那些PCB受限的应用中。
尺寸包括从5.7毫米(长) x 4.5毫米(宽) x 2.2毫米(高)至10.2毫米(长) x 7.2毫米(宽) x 3.1毫米(H)。这些元件采用带和盘包装方式，供自动贴片机使用。
12款新式16位全闪存微控制器78K0R/LF3，这些MCU具有片上液晶显示驱动器，最适合便携式医疗诊断仪器的应用如血糖仪，天然气/水/电子市场和FA设备。
它们还适用于低损耗的电源,或压电问题有特别要求电源如电信电源或LCD背光逆变器。
NSMX系列的额定电压为100VDC，可选择的电容值为0.01F至0.22F。工作温度为-40C 到 +125C（+105\C以上会降额）。NSMX系列产品在温度和频率效能方面的稳定性，以及电压偏置和介质吸收性能，使它们成为其他介质（如MLCC）的绝佳替代品。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-13业界新型“Dauerpower”逆变器SiC MOS
- 5-13电源管理芯片 (PMIC)应用详解
- 5-13 Power Management Buck/降压转换器̴
- 5-13AI GPU 和 TPU的超高功率密度电源模块
- 5-13高性能CMOS图像传感器芯片参数设计
- 5-13四丛集架构10核心方案SS1101处理器
- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
公网安备44030402000607
