BC66F2123工作电压为2.2V~3.6V;MCU具有1K×14 Flash ROM、64×8 RAM、32×8 EEPROM、3通道ADC。可编程动态调整发射功率最高达+13dBm，射频特性符合ETSI/FCC规范。

标准的 3.3V CMOS 电源就可以驱动S9706(X)，它比三色影像感应器速度更快成本更低。较之目前的分立式三色光电二极管其准确性更高，更易使用。

封装则提供24/28-pin SSOP、24/28-pin QFN及32-pin QFN，脚位相容于HT66F3195、HT66F3185同类型封装。

BLE 5.2核心整合高性能的射频及调制解调器(MODEM)，内建直流变换器(DC-DC Converter)及线性稳压器(LDO)可支持宽广范围的单电源供电，接收器(Receiver, RX)支持超过70 dB的自动增益控制(Automatic Gain Control)，灵敏度(Sensitivity)可高达-94 dBm.

低耗电的发送器(Transmitter, TX)及接收器(Receiver, RX)及提供深度休眠模式(Deep-Sleep Mode)及暂停模式(Power-Down Mode)等优良的低功耗模式。

该器件与“内部”CMOS处理电子元件相结合，可完全集成在单个硅芯片上。

第十代功率MOSFET达到了最高电源效率，第十代功率MOSFET在效率和低功耗方面取得了长足进步。举例来说，在用于台式计算计中DDR类SRAM的直流-直流转换器中，当将5V的输入电压转换成1.8V时，R2J20651NP取得了96.5%的业界最高的电源效率，并有助节省电源。

通过采用高散热/低损耗封装技术和瑞萨公司的第十代MOSFET器件，实现了6 mm x 6 mm的小型40引脚QFN封装。与以往瑞萨公司8mm x 8 mm的封装相比，R2J20651NP减少了一半的占位面积。

此外,由于它可以处理高达35A的电流，因此能够很轻松的有用高密度直流-直流转换器。