AMD的闪存器件支持用在高档手机和其它手提设备的54MHz的微处理器，随机存取时间为70ns,同步存取时间为13.5ns。

N沟TrenchFET功率MOSFET器件,目标应用单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。

器件包括有两个芯片大小的功率MOSFET，每占位面积有低的导通电阻。对于尽可能低的低导通电阻应用，Siliconix公司提供了微小型的Si8900EDB,4.5V栅驱动时导通电阻只有24 m欧姆，二平均占位面积为8.07 mm2.

制造商:Texas Instruments产品种类:电池管理RoHS: 详细信息 产品:Fuel Gauges电池类型:Li-Ion, Li-Polymer输出电压:26 V输出电流:20 mA工作电源电压:2.2 V to 26 V封装 / 箱体:VQFN-32安装风格:SMD/SMT系列:bq40z50-R2封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments 容量:100 mAh to 29 Ah 开发套件:BQ40Z50EVM-561 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:336 uA 产品类型:Battery Management 工厂包装数量:3000 子类别:PMIC - Power Management ICs 商标名:Impedance Track 单位重量:34 mg

在Speedster 7t的二维片上网络中，每个交叉节点都有两个网络接入点(NAP)，一个是master，一个是slave。整个器件总共有160个这样的接入点，这样可以保证无论逻辑放置在器件的任何地方，工具都能找到最近的NAP，使之走上二维片上网络。

Achronix在新版ACE工具中提供一个可视化的NoC性能分析工具，只用导入simulation的log文件就可以直观的看到在不同的时间片，NoC上面的带宽占用情况，以便于设计者能更好地规划NAP的位置，均衡NoC的带宽利用，使其工作地更为高效。

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