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多个IC和一个小功率SRAM器件来处理电池切换和写保护功能

发布时间:2021/11/14 15:30:04 访问次数:110

在ADC读取一个位值并计算温度后,您可将该值存储在先进先出(FIFO)软件阵列中。

当新值输入阵列时,最旧的样本将被丢弃,所有其他样本都将移至下一个对应的单元,从而创建一个FIFO。该求平均值方法可应用于温度转换过程中使用的任何值,例如温度、ADC位值、分压器电压,甚至计算得出的电阻。所有这些因素平均下来都将很好地发挥作用。

微控制器可在内部具有浮点单元硬件,也可具有无需硬件即可进行浮点数学运算的固件库。32位非浮点器件的快速示例是Cortex “M4”器件,而带有浮点的版本将标记为“M4F”。

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:70 ARds On-漏源导通电阻:9.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 5 VVgs th-栅源极阈值电压:1.7 VQg-栅极电荷:71 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:75 W通道模式:Enhancement封装:Reel封装:Cut Tape商标:Infineon Technologies下降时间:4 ns产品类型:MOSFET上升时间:10 ns工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:50 ns典型接通延迟时间:12 ns零件号别名:IPD70P04P4L-08 SP002325772单位重量:4 g

在传统上,具有电池备用电源的NVRAM通常采用非标准化封装,这种封装在印制电路板上十分凸出,当元器件的高度受到限制时,会产生一些问题。

分立的解决方案需用多个IC和一个小功率SRAM器件来处理电池切换和写保护功能。

灵活性体现在客户对电池的选择上,在外界温度40度、电池容量仅为18mAh时, M48Z32V的数据额定保存能力10年。目前,很多系统已经配备了可随时为M48Z32V提供备用电源的电池,这意味M48Z32V不仅是一个小尺寸的NVRAM解决方案,而且还可降低产品的成本。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在ADC读取一个位值并计算温度后,您可将该值存储在先进先出(FIFO)软件阵列中。

当新值输入阵列时,最旧的样本将被丢弃,所有其他样本都将移至下一个对应的单元,从而创建一个FIFO。该求平均值方法可应用于温度转换过程中使用的任何值,例如温度、ADC位值、分压器电压,甚至计算得出的电阻。所有这些因素平均下来都将很好地发挥作用。

微控制器可在内部具有浮点单元硬件,也可具有无需硬件即可进行浮点数学运算的固件库。32位非浮点器件的快速示例是Cortex “M4”器件,而带有浮点的版本将标记为“M4F”。

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3晶体管极性:P-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:70 ARds On-漏源导通电阻:9.5 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 16 V, + 5 VVgs th-栅源极阈值电压:1.7 VQg-栅极电荷:71 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:75 W通道模式:Enhancement封装:Reel封装:Cut Tape商标:Infineon Technologies下降时间:4 ns产品类型:MOSFET上升时间:10 ns工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:50 ns典型接通延迟时间:12 ns零件号别名:IPD70P04P4L-08 SP002325772单位重量:4 g

在传统上,具有电池备用电源的NVRAM通常采用非标准化封装,这种封装在印制电路板上十分凸出,当元器件的高度受到限制时,会产生一些问题。

分立的解决方案需用多个IC和一个小功率SRAM器件来处理电池切换和写保护功能。

灵活性体现在客户对电池的选择上,在外界温度40度、电池容量仅为18mAh时, M48Z32V的数据额定保存能力10年。目前,很多系统已经配备了可随时为M48Z32V提供备用电源的电池,这意味M48Z32V不仅是一个小尺寸的NVRAM解决方案,而且还可降低产品的成本。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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