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半桥配置的增强模式GaN功率晶体管FreeRTOS灵活配置软件包

发布时间:2021/11/13 20:36:11 访问次数:353

RA4W1 48MHz低功耗蓝牙5.3下一代无线MCU,支持2Mbps高数据带宽及远距离通信,为需要高性能Arm Cortex-M4内核的物联网应用提供支持.RA4W1采用高效低功耗工艺,并由一个开放且灵活的生态系统概念提供支持,即基于FreeRTOS的灵活配置软件包(FSP).

RA4W1具有多项重要功能例如允许接收器无需通过主机堆栈即可过滤信息,以改善接收器占空比.

允许外围设备能够向中央设备开辟首选通道,从而提升吞吐量和可靠性;增加了次级连接,为偶尔需要切换至突发流量的应用改善低占空比连接和高占空比连接间的切换时间.

制造商: Texas Instruments

产品种类: 总线收发器

RoHS:  详细信息

逻辑系列: LVT

输入电平: TTL

输出电平: TTL

输出类型: 3-State

高电平输出电流: - 8 mA

低电平输出电流: 8 mA

传播延迟时间: 3.1 ns

电源电压-最大: 2.3 V

电源电压-最小: 2.7 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装 / 箱体: TSSOP-48

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Texas Instruments

功能: 16-Bit Bus Transceiver with 3-State Outputs

高度: 1.15 mm

长度: 12.5 mm

安装风格: SMD/SMT

通道数量: 16

电路数量: 2

工作电源电压: 2.5 V, 3.3 V

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

极性: Non-Inverting

产品: Standard Transceiver

产品类型: Bus Transceivers

静态电流: 3.2 mA

系列: SN74ALVTH16245

工厂包装数量: 2000

子类别: Logic ICs

电源电流—最大值: 5 mA

技术: BiCMOS

宽度: 6.1 mm

单位重量: 223.200 mg

MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.

集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.

具有滞后和下拉的3.3V到15V兼容输入.器件工作温度 -40C 到 125C,紧凑的9x9mm QFN封装.主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

RA4W1 48MHz低功耗蓝牙5.3下一代无线MCU,支持2Mbps高数据带宽及远距离通信,为需要高性能Arm Cortex-M4内核的物联网应用提供支持.RA4W1采用高效低功耗工艺,并由一个开放且灵活的生态系统概念提供支持,即基于FreeRTOS的灵活配置软件包(FSP).

RA4W1具有多项重要功能例如允许接收器无需通过主机堆栈即可过滤信息,以改善接收器占空比.

允许外围设备能够向中央设备开辟首选通道,从而提升吞吐量和可靠性;增加了次级连接,为偶尔需要切换至突发流量的应用改善低占空比连接和高占空比连接间的切换时间.

制造商: Texas Instruments

产品种类: 总线收发器

RoHS:  详细信息

逻辑系列: LVT

输入电平: TTL

输出电平: TTL

输出类型: 3-State

高电平输出电流: - 8 mA

低电平输出电流: 8 mA

传播延迟时间: 3.1 ns

电源电压-最大: 2.3 V

电源电压-最小: 2.7 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装 / 箱体: TSSOP-48

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Texas Instruments

功能: 16-Bit Bus Transceiver with 3-State Outputs

高度: 1.15 mm

长度: 12.5 mm

安装风格: SMD/SMT

通道数量: 16

电路数量: 2

工作电源电压: 2.5 V, 3.3 V

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

极性: Non-Inverting

产品: Standard Transceiver

产品类型: Bus Transceivers

静态电流: 3.2 mA

系列: SN74ALVTH16245

工厂包装数量: 2000

子类别: Logic ICs

电源电流—最大值: 5 mA

技术: BiCMOS

宽度: 6.1 mm

单位重量: 223.200 mg

MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.

集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.

具有滞后和下拉的3.3V到15V兼容输入.器件工作温度 -40C 到 125C,紧凑的9x9mm QFN封装.主要用在开关电源,充电器和适配器以及高压PFC,DC/DC转换器和DC/AC转换器.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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