5线容量SFC05-5氮化镓功率芯片的实现方案快600%
发布时间:2021/11/9 18:49:59 访问次数:98
手提系统经常使用多到10个的外部5V数据口。因此，使用有5线容量的SFC05-5比小于5线的，能降低元件数量和板的要求。
SFC05-5是采用Semtech公司专有的固态硅雪崩半导体技术制造，和其它工艺相比，这种技术能加强保护和增加可靠性。器件符合所有电压免疫标准，包括国际电化学委员会(IEC)的静电放电保护，快速电瞬变(EFT)和二次闪电的标准。
SFC05-5倒装式设计采用JEDEC标准，0.5mm间距和六焊点。
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:N 产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:3.2 V在25 C的连续集电极电流:225 A栅极—射极漏泄电流:400 nAPd-功率耗散:1.25 kW封装 / 箱体:62 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C封装:Tray商标:Infineon Technologies 高度:30.5 mm 长度:106.4 mm 栅极/发射极最大电压:20 V 安装风格:Chassis Mount 产品类型:IGBT Modules 系列:IGBT2 Fast 工厂包装数量:10 子类别:IGBTs 技术:Si 宽度:61.4 mm
从检测到保护只需30纳秒，GaNSense技术比分立式的氮化镓功率芯片的实现方案快 600%。
纳微半导体下一代采用GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片产品，对潜在的系统故障模式提供了高度准确和有效的防护。
整个器件的大小为1.5x1.0x0.65mm。SFC05-5的小外形是装配工程师能指定每个器件投放面积为1.3x1.8mm.宽输入电压范围为2.7V到28V,输出电压可编程高达26V,关断电流为0.3μA.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
手提系统经常使用多到10个的外部5V数据口。因此，使用有5线容量的SFC05-5比小于5线的，能降低元件数量和板的要求。
SFC05-5是采用Semtech公司专有的固态硅雪崩半导体技术制造，和其它工艺相比，这种技术能加强保护和增加可靠性。器件符合所有电压免疫标准，包括国际电化学委员会(IEC)的静电放电保护，快速电瞬变(EFT)和二次闪电的标准。
SFC05-5倒装式设计采用JEDEC标准，0.5mm间距和六焊点。
制造商:Infineon产品种类:IGBT 模块RoHS:N 产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:3.2 V在25 C的连续集电极电流:225 A栅极—射极漏泄电流:400 nAPd-功率耗散:1.25 kW封装 / 箱体:62 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C封装:Tray商标:Infineon Technologies 高度:30.5 mm 长度:106.4 mm 栅极/发射极最大电压:20 V 安装风格:Chassis Mount 产品类型:IGBT Modules 系列:IGBT2 Fast 工厂包装数量:10 子类别:IGBTs 技术:Si 宽度:61.4 mm
从检测到保护只需30纳秒，GaNSense技术比分立式的氮化镓功率芯片的实现方案快 600%。
纳微半导体下一代采用GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片产品，对潜在的系统故障模式提供了高度准确和有效的防护。
整个器件的大小为1.5x1.0x0.65mm。SFC05-5的小外形是装配工程师能指定每个器件投放面积为1.3x1.8mm.宽输入电压范围为2.7V到28V,输出电压可编程高达26V,关断电流为0.3μA.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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