高振动和高冲击条件下可保持其设定/轴位器件提供外接5V轨
发布时间:2021/11/6 18:17:51 访问次数:130
新型模块化面板电位计---P11H，转矩达到业内高水平的8 Ncm——比紧随其后的竞品器件高200%——适用于越野、航空和工业应用。
Vishay SferniceP11H最多可配置七个模块，采用12.5 mm小型尺寸封装，轴径为6.35 mm。
日前发布的高转矩器件可在温度变化和高湿度等恶劣环境条件下保持稳定性，在高振动和高冲击条件下可保持其设定/轴位。
器件在整个使用寿命50,000个周期内转矩平顺，变化小于20%。
NCP51705主要用来驱动SiC MOSFET晶体管,为了获得最低可能导通损耗,驱动器能向SiC MOSFET器件提供最大可用栅极电压.通过在开通和关断时提供高峰值电流,开关损耗也是最小化.为了提高可靠性,dV/dt免疫性和甚至更快地关断,NCP51705能利用车载充电泵来产生用户可选择的负电源轨.
为了完全的兼容性和最小化复杂性,器件还提供外接5V轨,给数字或高速光隔离体的次级边供电.NCP51705还提供重要保护功能如偏压电源的欠压锁住监测和基于驱动电路结温的热关断.
器件主要用在驱动SiC MOSFET,工业逆变器,马达驱动以及PFC,AC/DC转换器和DC/DC转换器.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新型模块化面板电位计---P11H，转矩达到业内高水平的8 Ncm——比紧随其后的竞品器件高200%——适用于越野、航空和工业应用。
Vishay SferniceP11H最多可配置七个模块，采用12.5 mm小型尺寸封装，轴径为6.35 mm。
日前发布的高转矩器件可在温度变化和高湿度等恶劣环境条件下保持稳定性，在高振动和高冲击条件下可保持其设定/轴位。
器件在整个使用寿命50,000个周期内转矩平顺，变化小于20%。
NCP51705主要用来驱动SiC MOSFET晶体管,为了获得最低可能导通损耗,驱动器能向SiC MOSFET器件提供最大可用栅极电压.通过在开通和关断时提供高峰值电流,开关损耗也是最小化.为了提高可靠性,dV/dt免疫性和甚至更快地关断,NCP51705能利用车载充电泵来产生用户可选择的负电源轨.
为了完全的兼容性和最小化复杂性,器件还提供外接5V轨,给数字或高速光隔离体的次级边供电.NCP51705还提供重要保护功能如偏压电源的欠压锁住监测和基于驱动电路结温的热关断.
器件主要用在驱动SiC MOSFET,工业逆变器,马达驱动以及PFC,AC/DC转换器和DC/DC转换器.
(素材来源：ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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