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K6系列的阈压比上一代MDmesh K5更低可使用更低电压驱动

发布时间:2021/11/2 23:03:05 访问次数:565

SiT3901 μPower 数字控制 MEMS 振荡器 (DCXO),该振荡器专门针对空间受限的功耗敏感型移动应用和物联网应用。

MEMS振荡器理想适用于智能手表,活动追踪器、助听器和可穿戴设备的无线充电系统。

随着电子产品的演进发展,SiTime 综合采用创新性 MEMS、可编程模拟与快速推出方法,继续快速解决极具挑战性的时序问题。新无线应用的功耗和尺寸要求迫切需要一种新的时序方法。

SiT3901 DCXO 是业界首款 μPower 数字控制振荡器,它能够提高充电效率,同时缩小占板面积。

制造商:Vishay 产品种类:二极管 - 通用,功率,开关 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123 峰值反向电压:100 V 最大浪涌电流:500 mA If - 正向电流:150 mA 恢复时间:4 ns Vf - 正向电压:1.2 V Ir - 反向电流 :100 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Vishay Semiconductors 最大二极管电容:4 pF Pd-功率耗散:350 mW 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工厂包装数量15000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:10.300 mg

800V STPOWER MDmesh K6系列, 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平,能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

此外,K6系列的阈压比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的电压驱动,从而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待机应用。

总栅极电荷 (Qg) 也非常低,可以实现高开关速度和低损耗。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

SiT3901 μPower 数字控制 MEMS 振荡器 (DCXO),该振荡器专门针对空间受限的功耗敏感型移动应用和物联网应用。

MEMS振荡器理想适用于智能手表,活动追踪器、助听器和可穿戴设备的无线充电系统。

随着电子产品的演进发展,SiTime 综合采用创新性 MEMS、可编程模拟与快速推出方法,继续快速解决极具挑战性的时序问题。新无线应用的功耗和尺寸要求迫切需要一种新的时序方法。

SiT3901 DCXO 是业界首款 μPower 数字控制振荡器,它能够提高充电效率,同时缩小占板面积。

制造商:Vishay 产品种类:二极管 - 通用,功率,开关 产品:Switching Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-123 峰值反向电压:100 V 最大浪涌电流:500 mA If - 正向电流:150 mA 恢复时间:4 ns Vf - 正向电压:1.2 V Ir - 反向电流 :100 uA 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C 资格:AEC-Q101 封装:Reel 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 商标:Vishay Semiconductors 最大二极管电容:4 pF Pd-功率耗散:350 mW 产品类型:Diodes - General Purpose, Power, Switching 工厂包装数量15000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:10.300 mg

800V STPOWER MDmesh K6系列, 为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6 的RDS(on) x 面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平,能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

此外,K6系列的阈压比上一代 MDmesh K5更低,可使用更低的电压驱动,从而降低功耗并提高能效,主要用于零功耗待机应用。

总栅极电荷 (Qg) 也非常低,可以实现高开关速度和低损耗。

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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