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切换器内嵌有多个直接内存访问信道对外设单独降功耗

发布时间:2021/11/2 22:01:17 访问次数:91

设计这款切换器的目的在于满足追求先进效能的需求,尤为适用于网络和电信基础设施、安全系统、故障转移系统、人工智能和深度学习、NAS、HBA 卡和数据中心产品应用项目。

从 -40°C 到 +85°C 的宽广工作温度范围,也利于用在日渐增加的工业产品应用项目上,例如嵌入式、工业 PC (IPC) 及工业控制。

切换器内嵌有多个直接内存访问 (DMA) 信道,以促进主机 (或多具主机) 与连接的端点之间进行高效率通讯活动。

制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 技术:Si封装 / 箱体:TO-3P安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V集电极—射极饱和电压:1.6 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:120 APd-功率耗散:469 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 C系列:封装:Tube商标:STMicroelectronics集电极最大连续电流 Ic:80 A栅极—射极漏泄电流:250 nA产品类型:IGBT Transistors300子类别:IGBTs单位重量:6.756 g

低功耗3.3V工作,指令周期25ns,40MIPS性能,指令集和F240/C240兼容,片内存储器有多达8K字X16位的闪存EEPROM,8K字X16位ROM,片内的闪存/ROM有可编"代码安全"特性,高达1K字X16位数据/程序RAM,544字双存取的RAM和512字的单存取RAM以及引导ROM.

事件管理器包括有两个16位通用计时器,七个16位PWM通道,三相反向器控制,PWM通道的中心或边缘对准,紧急PWM通道关断,死区可编程以及有一个10位ADC.

功率管理有三种降功耗模式,能对每个外设单独降功耗.32引脚VF LQFP封装.工作温度-40-85度C.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

设计这款切换器的目的在于满足追求先进效能的需求,尤为适用于网络和电信基础设施、安全系统、故障转移系统、人工智能和深度学习、NAS、HBA 卡和数据中心产品应用项目。

从 -40°C 到 +85°C 的宽广工作温度范围,也利于用在日渐增加的工业产品应用项目上,例如嵌入式、工业 PC (IPC) 及工业控制。

切换器内嵌有多个直接内存访问 (DMA) 信道,以促进主机 (或多具主机) 与连接的端点之间进行高效率通讯活动。

制造商:STMicroelectronics产品种类:IGBT 晶体管RoHS: 技术:Si封装 / 箱体:TO-3P安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V集电极—射极饱和电压:1.6 V栅极/发射极最大电压:20 V在25 C的连续集电极电流:120 APd-功率耗散:469 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 C系列:封装:Tube商标:STMicroelectronics集电极最大连续电流 Ic:80 A栅极—射极漏泄电流:250 nA产品类型:IGBT Transistors300子类别:IGBTs单位重量:6.756 g

低功耗3.3V工作,指令周期25ns,40MIPS性能,指令集和F240/C240兼容,片内存储器有多达8K字X16位的闪存EEPROM,8K字X16位ROM,片内的闪存/ROM有可编"代码安全"特性,高达1K字X16位数据/程序RAM,544字双存取的RAM和512字的单存取RAM以及引导ROM.

事件管理器包括有两个16位通用计时器,七个16位PWM通道,三相反向器控制,PWM通道的中心或边缘对准,紧急PWM通道关断,死区可编程以及有一个10位ADC.

功率管理有三种降功耗模式,能对每个外设单独降功耗.32引脚VF LQFP封装.工作温度-40-85度C.


(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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