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功率因素修正和二极管一起使用简化电源和DC/DC转换器设计

发布时间:2021/10/31 9:05:33 访问次数:120


单元件解决方案和基准电压误差选择(0.5%,1%he12%)使工程师优化空间和性能,满足功率设计要求。

设计应首先考虑采用FOD2471或FOD2742误差放大器,它的功能等效于Fairchild的KA431并联电压调整器和CNY17F-3光耦合器,其温度漂移系数最大为50 ppm/°C。

FOD2742是SOIC-8封装,可用在空间受到限制的地方。而FOD2712或FOD2711最适合用在更低基准电压的地方。所有这四种误差放大器都能和Fairchild的功率开关(FPS)和其它Fairchild器件如MOSFET,功率因素修正(PFC)和二极管一起使用,简化电源和DC/DC转换器的设计。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 70 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 9 ns

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

系列: XPB70N04

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 7 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB70N04S4-06 SP000711476

单位重量: 4 g

在发动机舱高温汽车环境中,高耐久性焊接越来越多地被用于防止芯片组件和安装基板之间焊接裂纹。

由于高耐久性焊接不易拉伸,并且比传统焊接施加了更高的应力,所以高耐久性焊接对芯片组件施加了很大的负荷,且无法满足现有贴片磁珠的可靠性要求。

MMZ1608-HE系列产品通过改进终端电极材料和电镀工艺,提高了终端电极和电镀之间的结合强度,使其成为在150℃环境下使用高耐久性焊接的理想选择。

TDK将继续扩大其紧凑尺寸和各种阻抗的产品阵容,以支持广泛的汽车规格和设计。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


单元件解决方案和基准电压误差选择(0.5%,1%he12%)使工程师优化空间和性能,满足功率设计要求。

设计应首先考虑采用FOD2471或FOD2742误差放大器,它的功能等效于Fairchild的KA431并联电压调整器和CNY17F-3光耦合器,其温度漂移系数最大为50 ppm/°C。

FOD2742是SOIC-8封装,可用在空间受到限制的地方。而FOD2712或FOD2711最适合用在更低基准电压的地方。所有这四种误差放大器都能和Fairchild的功率开关(FPS)和其它Fairchild器件如MOSFET,功率因素修正(PFC)和二极管一起使用,简化电源和DC/DC转换器的设计。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 70 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 32 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 9 ns

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

系列: XPB70N04

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 7 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB70N04S4-06 SP000711476

单位重量: 4 g

在发动机舱高温汽车环境中,高耐久性焊接越来越多地被用于防止芯片组件和安装基板之间焊接裂纹。

由于高耐久性焊接不易拉伸,并且比传统焊接施加了更高的应力,所以高耐久性焊接对芯片组件施加了很大的负荷,且无法满足现有贴片磁珠的可靠性要求。

MMZ1608-HE系列产品通过改进终端电极材料和电镀工艺,提高了终端电极和电镀之间的结合强度,使其成为在150℃环境下使用高耐久性焊接的理想选择。

TDK将继续扩大其紧凑尺寸和各种阻抗的产品阵容,以支持广泛的汽车规格和设计。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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