40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN® FET），器件型号为EPC2069，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2069（典型值为 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低压器件。

Antaur处理器具有低功耗和有增强性能的热密度特性(EBGA封装的高度只有1.5mm)，很适合用在数字多媒体应用中。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 14 ns

正向跨导 - 最小值: 65 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 35 ns

系列: OptiMOS 3

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB72N15N3GXT SP000386664 IPB072N15N3GATMA1

单位重量: 4 g

超低功耗32位RX140微控制器（MCU）产品群。作为入门级RX100系列的最新成员，RX140 MCU基于瑞萨强大的RXv2 CPU内核构建，具有卓越性能。

其最高运行频率为48MHz，CoreMark评分达到204；同RX130 MCU产品群相比，可提供约两倍的处理性能，更将电源效率提升30%以上——当CPU处于工作状态时，电流低至56μA/MHz。

在待机模式下低至0.25μA。这使得RX140 MCU能够在家电、工业和楼宇自动化（BA）等广泛应用中实现高性能和低功耗。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）