高精度的片内2.5V的基准电压源不需要外接基准电压，能用软件来配置成向外接器件提供100mV到3.5V的基准电压。输入可配置成单端，差分和假差分信号。

片内的可编次序器允许用户通道取样选择，简化了系统设计和编程。

ADC工作在单电源2.7-5.25V,在最高取样频率和5V时仅消耗16mW。AD739x多通道器件很适合用在基础设备和通信方面以及高分辨率的控制回路。

八通道12位和10位分辨率的AD7938和AD7939是32引脚LFCSP封装.

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 77 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 60 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 26 ns

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 27 ns

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 34 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB77N06S2-12 SP001061294

单位重量: 4 g

基于硅锗的高频集成电路破记录地提升到110GHz的高度。

所测量的电路表明，其性能和其它供应商的同类产品相比，提高10-30%的工作频率，使其能应用在高频产品和高速通信系统。

从这种技术受益的将是高速分立元件(晶体管和二极管)，40Gbps低功耗有线通信系统，高速微波无线链路，高达60GHz的超宽带通信系统和77GHz汽车雷达系统。

Infineon公司根据它的SiGe:C双极工艺，设计了几种用于高速通信的主要功能块，它的截止频率大于200GHz，所演示的振荡器门延迟时间为3.7ps。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）