DDR2结构包括有片外驱动器阻抗调整和单芯片终端(ODT)
发布时间:2021/10/30 12:16:51 访问次数:349
数据传输速率高达533Mbps，工作电压1.8V，能满足下一代PC，工作站和服务器对高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。
Elpida的大容量宽带宽512Mb DDR2 SDRAM器件是采用0.11um工艺制造的。
它的结构分别为128Mx4位;64MX8为和132MX16位，采用FBGA封装。基于DDR2的器件的CAS等待3，4，突发长度4和8。器件的先进DDR2结构包括有片外驱动器阻抗调整和单芯片终端(ODT)，提供更好的系统时序和提高信号质量。
制造商:Texas Instruments产品种类:视频放大器RoHS: 系列:通道数量:3 Channel3dB带宽:8.5 MHz电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.85 V工作电源电流:16 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel放大器类型:Integrated Filter Amplifier商标:Texas Instruments开发套件:THS7314EVM高度:1.58 mm长度:4.9 mm湿度敏感性:Yes工作电源电压:2.85 V to 5.5 V产品:Video Amplifiers产品类型:Video Amplifiers2500子类别:Amplifier ICs电源类型:Single宽度:3.91 mm零件号别名:HPA00190DR单位重量:76 mg
一次扫描即可同时捕获三幅不同场图像
133 kHz x 3 的高速行频
高灵敏度多阵列 TDI
双向扫描
辅助对齐标记
第一个由Intel DDR2确认的512Mb DDR2 SDRAM器件EDE51xxABSE。
数据传输速率高达533Mbps，工作电压1.8V，能满足下一代PC，工作站和服务器对高速低功耗的要求。它的功耗比DDR1器件要低30%。
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它的结构分别为128Mx4位;64MX8为和132MX16位，采用FBGA封装。基于DDR2的器件的CAS等待3，4，突发长度4和8。器件的先进DDR2结构包括有片外驱动器阻抗调整和单芯片终端(ODT)，提供更好的系统时序和提高信号质量。
制造商:Texas Instruments产品种类:视频放大器RoHS: 系列:通道数量:3 Channel3dB带宽:8.5 MHz电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.85 V工作电源电流:16 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel放大器类型:Integrated Filter Amplifier商标:Texas Instruments开发套件:THS7314EVM高度:1.58 mm长度:4.9 mm湿度敏感性:Yes工作电源电压:2.85 V to 5.5 V产品:Video Amplifiers产品类型:Video Amplifiers2500子类别:Amplifier ICs电源类型:Single宽度:3.91 mm零件号别名:HPA00190DR单位重量:76 mg
一次扫描即可同时捕获三幅不同场图像
133 kHz x 3 的高速行频
高灵敏度多阵列 TDI
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