高频工作性能GaN器件开发用于32位服务器和工作站
发布时间:2021/10/26 8:59:06 访问次数:210
ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
此次，ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术，能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。
然而，GaN器件的栅极-源极间额定电压较低，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压，所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。
这款坚固的封闭型产品具有内置过热、过流、过压和输出短路保护，从而保护设备及其供电的任何负载。ASB75产品的基板工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种应用环境，而全封装提高了恶劣环境和需要坚固设备的应用中的可靠性。
与硅器件相比，GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能，因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。
Athlon MP处理器2800+，它是Athlon 2600的升级版本，用于32位服务器和工作站。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。
此次，ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术，能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。
然而，GaN器件的栅极-源极间额定电压较低，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压，所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。
这款坚固的封闭型产品具有内置过热、过流、过压和输出短路保护，从而保护设备及其供电的任何负载。ASB75产品的基板工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种应用环境，而全封装提高了恶劣环境和需要坚固设备的应用中的可靠性。
与硅器件相比，GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能，因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。
Athlon MP处理器2800+，它是Athlon 2600的升级版本，用于32位服务器和工作站。
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