高压双极晶体管的达林顿晶体管和低压MOSFET的开关频率
发布时间:2021/10/15 12:32:54 访问次数:133
新产品集成两个 650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。
因为 GaN 晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小 80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。
在 MasterGaN5 中，两个晶体管的导通电阻值 (Rds(on))都是450mΩ，适用于 LLC 谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。
设计可编程性也给用户灵活地适应特殊应用的要求,世界范围的标准和独特的增值要求。
此外，它还具有可编程的故障清除时间和一个使能输入。通过使用精确匹配的评测和控制器板，用户能够显着优化处理和开发时间。
采用ST公司专有的M3-3 VIPower®技术，VK05CFL集成了发射极开关功率级，有一个高压双极晶体管的达林顿晶体管和低压MOSFET。这种组合具有双极晶体管的低压降和"关态"时高击穿电压以及MOSFET的高开关速度，理论上能达到最大的300KHz范围。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新产品集成两个 650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。
因为 GaN 晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小 80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。
在 MasterGaN5 中，两个晶体管的导通电阻值 (Rds(on))都是450mΩ，适用于 LLC 谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。
设计可编程性也给用户灵活地适应特殊应用的要求,世界范围的标准和独特的增值要求。
此外，它还具有可编程的故障清除时间和一个使能输入。通过使用精确匹配的评测和控制器板，用户能够显着优化处理和开发时间。
采用ST公司专有的M3-3 VIPower®技术，VK05CFL集成了发射极开关功率级，有一个高压双极晶体管的达林顿晶体管和低压MOSFET。这种组合具有双极晶体管的低压降和"关态"时高击穿电压以及MOSFET的高开关速度，理论上能达到最大的300KHz范围。
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