600V和800V三端双向可控硅开关元件光耦合器形成互补方案
发布时间:2023/1/29 11:26:40 访问次数:152
新的600V 和800V 12A三端双向可控硅开关元件FKPF12N60和FKPF12N80,最适宜用在消费类电子产品中。采用先进的平面硅结构,这些三端双向可控硅开关元件可靠性高。
导通损耗最大为1.5V,因而效率高。目标应用是洗衣机,真空吸尘器,调光器,遥控开关和交流马达控制。Fairchild还提供全套的600V和800V三端双向可控硅开关元件光耦合器,形成互补的解决方案。
600V/800V 三端双向可控硅开关元件对于开关电感负载是理想的,能在产品设计中提供可靠的性能,包括高的di/dt(50A//us)以预防器件失效.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMC (DO-214AB) 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:3 A Vrrm - 重复反向电压:100 V Vf - 正向电压:790 mV Ifsm - 正向浪涌电流:100 A Ir - 反向电流 :500 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.5 mm 长度:7.11 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:Schottky Barrier Rectifier 宽度:6.22 mm 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:210 mg
热关端保护;用于热插拔的无毛刺上电和下电总线保护。这两种技术能够传输速率大于162Mbps的数据,取决于所用的天线总数量。
T0353和T0354也提供本地振荡预标定器,由于消除了外接的额外的蜂窝频段本地振荡器而降低了成本。
此外,点火频率,因为由负载决定,独立于工作频率。用外接几个低压元件还能增加预热功能。由于在预热电路中不需要用正温度系数的电阻或高压电容,VK05CFL增加了系统的稳定性。
高的(dv/dt)c(10V/us)和(dv/dt)s(300V/us),以预防在瞬变电压时不必要的导通,高的ITSM(120A)防止器件免受浪涌电流的损坏。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
新的600V 和800V 12A三端双向可控硅开关元件FKPF12N60和FKPF12N80,最适宜用在消费类电子产品中。采用先进的平面硅结构,这些三端双向可控硅开关元件可靠性高。
导通损耗最大为1.5V,因而效率高。目标应用是洗衣机,真空吸尘器,调光器,遥控开关和交流马达控制。Fairchild还提供全套的600V和800V三端双向可控硅开关元件光耦合器,形成互补的解决方案。
600V/800V 三端双向可控硅开关元件对于开关电感负载是理想的,能在产品设计中提供可靠的性能,包括高的di/dt(50A//us)以预防器件失效.
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SMC (DO-214AB) 配置:Single 技术:Si If - 正向电流:3 A Vrrm - 重复反向电压:100 V Vf - 正向电压:790 mV Ifsm - 正向浪涌电流:100 A Ir - 反向电流 :500 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.5 mm 长度:7.11 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:Schottky Barrier Rectifier 宽度:6.22 mm 商标:Diodes Incorporated 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:210 mg
热关端保护;用于热插拔的无毛刺上电和下电总线保护。这两种技术能够传输速率大于162Mbps的数据,取决于所用的天线总数量。
T0353和T0354也提供本地振荡预标定器,由于消除了外接的额外的蜂窝频段本地振荡器而降低了成本。
此外,点火频率,因为由负载决定,独立于工作频率。用外接几个低压元件还能增加预热功能。由于在预热电路中不需要用正温度系数的电阻或高压电容,VK05CFL增加了系统的稳定性。
高的(dv/dt)c(10V/us)和(dv/dt)s(300V/us),以预防在瞬变电压时不必要的导通,高的ITSM(120A)防止器件免受浪涌电流的损坏。
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