无线基站前端低噪音放大器(LNA)的Q2和Q3级的理想解决方案
发布时间:2021/10/13 20:54:52 访问次数:121
在2GHz，单电源4.5V工作的ATF-511P8 E-pHEMT FET在1dB增益压缩时的输出功率为30dBm，41.7dBm三阶输出截距点(OIP3)和69%的电源附加效率(PAE)，噪音为1.4dB。
该器件能用在900MHz，1.9GHz 和2.1GHz手机/PCS频段以及定点无线，WLAN和工作在50MHz-6GHz范围的其它设备。它的微型封装节省了PCB的空间。
ATF-511P8是驱动放大器或前置驱动放大器以及手机/PCS/WCDMA和GSM/EGSM(扩展GSM)无线基站前端低噪音放大器(LNA)的Q2和Q3级的理想解决方案。
制造商:Murata产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT电容:1 uF容差:20 %外壳代码 - in:0603外壳代码 - mm:1608高度:0.5 mm产品:General Type MLCCs端接类型:SMD/SMT系列:长度:1.6 mm封装 / 箱体:0603 (1608 metric)类型:Eight Termination Low ESL Chip Monolithic Ceramic Capacitor宽度:0.8 mm商标:Murata Electronics电容-nF:1000 nF产品类型:Ceramic Capacitors子类别:Capacitors单位重量:6.300 mg
集总速度80Gbps单片网络交换芯片PI-40SAX,能进行业界最快的语音,数据和视频交换。
另外,它可以在与网络隔离的状态下保有数据,可以降低因网络攻击等造成的数据损坏、遗失的风险。
检测元件间距大约为42.3微米，每个芯片的外形尺寸为14560X380微米，芯片的一致性为+/-7.5%,5V工作电压下的电流为4mA，时钟速度为2MHz。
基于可无缝协作的多款产品，瑞萨现已推出适用于各种应用和终端产品的超过250款“成功产品组合”。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在2GHz，单电源4.5V工作的ATF-511P8 E-pHEMT FET在1dB增益压缩时的输出功率为30dBm，41.7dBm三阶输出截距点(OIP3)和69%的电源附加效率(PAE)，噪音为1.4dB。
该器件能用在900MHz，1.9GHz 和2.1GHz手机/PCS频段以及定点无线，WLAN和工作在50MHz-6GHz范围的其它设备。它的微型封装节省了PCB的空间。
ATF-511P8是驱动放大器或前置驱动放大器以及手机/PCS/WCDMA和GSM/EGSM(扩展GSM)无线基站前端低噪音放大器(LNA)的Q2和Q3级的理想解决方案。
制造商:Murata产品种类:多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT电容:1 uF容差:20 %外壳代码 - in:0603外壳代码 - mm:1608高度:0.5 mm产品:General Type MLCCs端接类型:SMD/SMT系列:长度:1.6 mm封装 / 箱体:0603 (1608 metric)类型:Eight Termination Low ESL Chip Monolithic Ceramic Capacitor宽度:0.8 mm商标:Murata Electronics电容-nF:1000 nF产品类型:Ceramic Capacitors子类别:Capacitors单位重量:6.300 mg
集总速度80Gbps单片网络交换芯片PI-40SAX,能进行业界最快的语音,数据和视频交换。
另外,它可以在与网络隔离的状态下保有数据,可以降低因网络攻击等造成的数据损坏、遗失的风险。
检测元件间距大约为42.3微米，每个芯片的外形尺寸为14560X380微米，芯片的一致性为+/-7.5%,5V工作电压下的电流为4mA，时钟速度为2MHz。
基于可无缝协作的多款产品，瑞萨现已推出适用于各种应用和终端产品的超过250款“成功产品组合”。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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