MAX1951对DSP ASIC和微处理器的核和I/O口提供电源

发布时间:2023/1/29 1:05:11 访问次数:75

尺寸最小的1.5A降压调整器MAX1951/MAX1952，用在成本敏感和空间受限制的地方，对DSP，ASIC和微处理器的核和I/O口提供电源。

3D HAL®像素单元：可直接测量X、Y、Z三个方向上的磁场。杂散场补偿：现代霍尔效应传感器必须对混合动力或电动汽车（xHEV）中电动机或电源线产生的干扰场不敏感.

masterHAL®：代表独特性能集合的注册商标，包括建立于高度灵活架构的用于多维磁场测量的杂散场补偿功能.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 90 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 115 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 21 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 13 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 19 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

零件号别名: IPB1N4S4H2XT SP000711274 IPB100N04S4H2ATMA1

单位重量: 4 g

根据ISO 26262，传感器支持SEooC和ASIL B，可进行ASIL D的系统级开发。它们可进行3D磁场测量、2D杂散场稳健位置检测；HAR 3930具有PWM 和SENT（SAE J2716修订版4）输出、附加开关输出，HAR 3900通过高速SPI接口提供可用的测量数据。

MAX1951/MAX1952小型8引脚SO封装,特别为扩展工业温度范围(-40度to+85度)设计。

这两种传感器都是HAL 3900和HAL 3930的双芯片SMD封装版，适用于多种应用，包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、加速器和制动踏板位置检测。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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